一种纵向型氮化镓基异质结半导体器件及其制造方法

专利号：CN201610088517.X

公布日：2019-09-03

申请人：香港商莫斯飞特半导体有限公司

具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管

专利号：CN201410454183.4

公布日：2014-12-24

申请人：电子科技大学

具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管

专利号：CN201410454173.0

公布日：2017-03-22

申请人：电子科技大学

一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器及其制备方法

专利号：CN202010554890.6

公布日：2023-10-24

申请人：华南师范大学

锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用

专利号：CN202110274722.6

公布日：2023-07-21

申请人：中国科学院物理研究所

一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法

专利号：CN202310079234.9

公布日：2023-06-23

申请人：西安电子科技大学

折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN202310431333.9

公布日：2023-06-27

申请人：中国科学院微电子研究所

一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法

专利号：CN202211246453.3

公布日：2023-04-04

申请人：厦门大学

一种氮化镓基增强型器件的制造方法

专利号：CN201410456503.X

公布日：2014-12-10

申请人：电子科技大学

氮化物基异质结半导体器件及其制造方法

专利号：CN201310044202.1

公布日：2013-08-14

申请人：三星电子株式会社

基于异质结的超结氧化镓晶体管及其制作方法与应用

专利号：CN202111438443.5

公布日：2023-03-21

申请人：西安电子科技大学

一种金刚石基氮化镓异质结二极管器件的制备方法

专利号：CN202111149661.7

公布日：2021-12-24

申请人：太原理工大学

氮化镓基异质结场效应晶体管及其制造方法

专利号：CN202210424332.7

公布日：2022-05-27

申请人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法

专利号：CN201910754054.X

公布日：2020-08-21

申请人：西安电子科技大学

一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管及其制备方法

专利号：CN202311130773.7

公布日：2023-10-10

申请人：西安电子科技大学