氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法

专利号：CN201110401468.8

公布日：2012-04-25

申请人：中国科学院半导体研究所

改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构

专利号：CN200410101891.6

公布日：2006-07-05

申请人：中国科学院半导体研究所

氮化镓高电子移动率晶体管及其栅极结构

专利号：CN201910141573.9

公布日：2023-05-12

申请人：杰力科技股份有限公司

掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜

专利号：CN201310398997.6

公布日：2013-12-25

申请人：大连理工大学

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法

专利号：CN200910010921.5

公布日：2010-09-29

申请人：大连美明外延片科技有限公司

制造包含松弛的氮化铟镓层的衬底的方法

专利号：CN202011501973.5

公布日：2021-06-22

申请人：原子能和替代能源委员会

双异质氮化镓基场效应晶体管结构及制作方法

专利号：CN201610594320.3

公布日：2016-10-12

申请人：中国科学院半导体研究所

宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法

专利号：CN200610127920.5

公布日：2008-03-05

申请人：中国科学院半导体研究所

一种发光二极管的外延生产方法

专利号：CN201110365009.9

公布日：2012-02-29

申请人：扬州中科半导体照明有限公司

一种P型沟道氮化镓器件

专利号：CN202121975584.6

公布日：2022-03-15

申请人：西交利物浦大学

氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法

专利号：CN200610112889.8

公布日：2008-03-12

申请人：中国科学院半导体研究所

基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法

专利号：CN202110414342.8

公布日：2021-08-06

申请人：西安电子科技大学

含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池

专利号：CN201410426193.7

公布日：2014-12-10

申请人：中国科学院半导体研究所

一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法

专利号：CN201110136088.6

公布日：2011-10-12

申请人：中国科学院半导体研究所

一种基于镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管及其制备方法

专利号：CN201310740552.1

公布日：2014-04-23

申请人：华中科技大学