高压半导体装置

专利号：CN202110191369.5

公布日：2022-08-30

申请人：联华电子股份有限公司

高压元件及其制造方法

专利号：CN201810939369.7

公布日：2023-03-24

申请人：立锜科技股份有限公司

一种基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件

专利号：CN202110567378.X

公布日：2023-07-18

申请人：西安理工大学

静电放电保护装置及其操作方法

专利号：CN202110140754.7

公布日：2022-07-29

申请人：旺宏电子股份有限公司

检测低压阱区和高压阱区混接的方法

专利号：CN201710543028.3

公布日：2021-07-02

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

半导体装置结构

专利号：CN201811063125.3

公布日：2019-04-05

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

高压ESD防护版图结构、集成电路和存储器

专利号：CN202123386658.5

公布日：2022-07-22

申请人：合肥博雅半导体有限公司

半导体器件及其制作方法

专利号：CN202010516053.4

公布日：2023-06-23

申请人：杰华特微电子股份有限公司

低功耗高可靠性的双向夹层隔离阱

专利号：CN201811542508.9

公布日：2019-03-19

申请人：无锡麟力科技有限公司

静电保护结构及其制备方法

专利号：CN202110658518.4

公布日：2022-12-16

申请人：无锡华润上华科技有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN201710438327.0

公布日：2020-05-08

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

瞬态电压抑制器

专利号：CN201810048116.0

公布日：2023-02-28

申请人：源芯半导体股份有限公司

具有高维持电压低触发电压ESD特性的晶闸管

专利号：CN201110166667.5

公布日：2011-11-16

申请人：北京大学

一种可用于静电泄放防护的内嵌隔离环可控硅

专利号：CN201910805721.2

公布日：2019-11-15

申请人：成都矽能科技有限公司

一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅

专利号：CN201921418257.3

公布日：2020-02-18

申请人：成都矽能科技有限公司