碱金属阻挡层

专利号：CN201280026810.3

公布日：2014-03-05

申请人：法国圣戈班玻璃厂

碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法

专利号：CN202111305821.2

公布日：2022-05-13

申请人：三菱电机株式会社

一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法

专利号：CN202210354799.9

公布日：2022-06-17

申请人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司

半导体器件的形成方法及半导体器件

专利号：CN202210946421.8

公布日：2022-10-25

申请人：长鑫存储技术有限公司

带碱金属阻挡层的玻璃基板及带透明导电性氧化物膜的玻璃基板

专利号：CN201280042971.1

公布日：2014-05-07

申请人：旭硝子株式会社

测试结构

专利号：CN201320804312.9

公布日：2014-06-04

申请人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

图像传感器及其制作方法

专利号：CN202211269050.0

公布日：2023-01-10

申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司

具有改良金属布线的半导体器件

专利号：CN200610142115.X

公布日：2007-04-11

申请人：恩益禧电子股份有限公司

无金属阻挡层的铜后道互连工艺

专利号：CN201110194242.5

公布日：2012-05-02

申请人：上海华力微电子有限公司

金属互连结构及其制作方法

专利号：CN201911359167.6

公布日：2022-08-19

申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司

一种金属栅极结构及其制造方法

专利号：CN201811415934.6

公布日：2021-06-15

申请人：上海集成电路研发中心有限公司

后端结构的形成方法

专利号：CN202011292924.5

公布日：2022-09-30

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

监测晶圆以及金属污染的监测方法

专利号：CN201510231037.X

公布日：2019-01-22

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

在半导体器件中制作阻挡扩散金属层的方法

专利号：CN96108935.0

公布日：2000-01-26

申请人：现代电子产业株式会社

互连结构及其形成方法

专利号：CN202210771772.X

公布日：2022-10-04

申请人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司