人员闸门

专利号：CN200680022013.2

公布日：2008-06-18

申请人：托马斯·加伦舒茨

包含阻障件抛光停止层的集成电路及其制造方法

专利号：CN201210202572.9

公布日：2012-12-19

申请人：格罗方德半导体公司

半导体结构及其制备方法

专利号：CN202110835536.5

公布日：2022-03-29

申请人：南亚科技股份有限公司

相变化记忆体的制造方法

专利号：CN201510990447.2

公布日：2016-03-23

申请人：江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司

相变化记忆体

专利号：CN201711403141.8

公布日：2021-04-06

申请人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司

半导体元件

专利号：CN202011509547.6

公布日：2021-06-22

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

形成半导体元件的方法

专利号：CN202110509390.5

公布日：2022-11-11

申请人：联华电子股份有限公司

具有阻障层的半导体元件及其制备方法

专利号：CN202210137001.5

公布日：2022-10-21

申请人：南亚科技股份有限公司

自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法

专利号：CN201310455370.X

公布日：2015-04-15

申请人：格罗方德半导体公司

自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法

专利号：CN201910627579.7

公布日：2019-10-29

申请人：格罗方德半导体公司

半导体元件及其制备方法

专利号：CN202110358809.1

公布日：2021-10-12

申请人：南亚科技股份有限公司

低阻抗交叉点架构

专利号：CN202080078630.4

公布日：2023-09-26

申请人：美光科技公司

存储器装置

专利号：CN202210197132.2

公布日：2022-06-24

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

插塞结构之电容器组障

专利号：CN03809450.9

公布日：2005-08-03

申请人：因芬尼昂技术股份公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN201710325044.5

公布日：2021-09-03

申请人：旺宏电子股份有限公司