降低CMOS器件漏电的方法

专利号：CN202110731420.7

公布日：2021-07-27

申请人：广州粤芯半导体技术有限公司

非线性度降低的BAW器件

专利号：CN202080032009.4

公布日：2021-12-10

申请人：RF360欧洲有限责任公司

降低耦合噪声的半导体器件

专利号：CN200510059255.6

公布日：2005-09-28

申请人：三星电子株式会社

降低沟槽MOSFET器件电容的结构

专利号：CN202321136432.6

公布日：2023-10-03

申请人：江苏临德半导体有限公司

降低半导体器件中有效介电常数的器件和方法

专利号：CN200510004272.X

公布日：2005-08-03

申请人：国际商业机器公司

降低MEMS惯性器件封装应力的方法及MEMS器件

专利号：CN201911242893.X

公布日：2023-10-20

申请人：上海航天控制技术研究所

降低存储器器件的功率消耗

专利号：CN201310669768.3

公布日：2018-04-24

申请人：恩智浦美国有限公司

一种电子设备

专利号：CN201510612196.4

公布日：2019-05-31

申请人：联想(北京)有限公司

一种SGT MOSFET器件结构

专利号：CN202321182501.7

公布日：2023-10-20

申请人：重庆云潼科技有限公司

一种基于降低氢元素含量的双极器件抗辐照加固方法

专利号：CN201610911436.5

公布日：2017-02-08

申请人：哈尔滨工业大学

应用于MMC的大功率电力电子器件及其操作方法

专利号：CN201810002005.6

公布日：2018-05-18

申请人：清华大学

应用于MMC的大功率电力电子器件

专利号：CN201820003292.8

公布日：2018-08-21

申请人：清华大学

光伏组件功率变换器过温保护控制方法及装置

专利号：CN201811188502.6

公布日：2018-12-28

申请人：阳光电源股份有限公司

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法

专利号：CN201410107152.1

公布日：2014-07-16

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法

专利号：CN201410107138.1

公布日：2014-07-02

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所