半导体元件的制造方法

专利号：CN201811442129.2

公布日：2019-06-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉

半导体装置及其形成方法

专利号：CN202210220319.X

公布日：2022-12-27

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

形成集成晶片的方法

专利号：CN202010313831.X

公布日：2020-10-30

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

介电结构与其制作方法和存储器结构

专利号：CN201611198365.5

公布日：2018-06-29

申请人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司

半导体装置的形成方法及其栅极结构的制造方法

专利号：CN201710152290.5

公布日：2023-02-28

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

具有高相对介电常数层的集成高压电子器件

专利号：CN202211583230.6

公布日：2023-06-13

申请人：德克萨斯仪器股份有限公司

半导体结构形成方法

专利号：CN201811183706.0

公布日：2019-12-24

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

具有高介电常数介电层的栅极结构

专利号：CN200420050503.1

公布日：2005-07-27

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法

专利号：CN200310117145.1

公布日：2005-02-09

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202011392773.0

公布日：2021-07-20

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

多重闸极介电层的结构及其制造方法

专利号：CN03153952.1

公布日：2004-07-28

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置的形成方法

专利号：CN202110148791.2

公布日：2021-08-03

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

多重栅极介电层的结构

专利号：CN200420059202.5

公布日：2006-01-11

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置的制造方法

专利号：CN201010518060.4

公布日：2011-10-19

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

集成电路

专利号：CN202011276805.0

公布日：2021-06-29

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司