去除栅介质层的方法

专利号：CN201310365793.2

公布日：2015-03-18

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种卫生间墙面和洗手台系统

专利号：CN202223111962.3

公布日：2023-05-12

申请人：中建二局装饰工程有限公司

闪存器件的制造方法

专利号：CN202010456519.6

公布日：2023-08-01

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

半导体器件制造方法

专利号：CN201210495187.8

公布日：2017-11-21

申请人：中国科学院微电子研究所

一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法

专利号：CN201010175815.5

公布日：2011-11-16

申请人：中国科学院微电子研究所

NAND存储器及其制造方法

专利号：CN202011023971.X

公布日：2020-12-04

申请人：上海华力微电子有限公司

一种带有层间梁的剪力墙结构及其铝木模板施工方法

专利号：CN202111096226.2

公布日：2021-12-03

申请人：陕西建工第五建设集团有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202110970620.8

公布日：2023-02-24

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

金属栅极的制造方法

专利号：CN201810486044.8

公布日：2021-02-02

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

一种抗震剪力墙

专利号：CN201520023738.X

公布日：2015-08-12

申请人：西安科技大学

一种保温外墙及其建筑施工工艺

专利号：CN201811198350.8

公布日：2021-02-19

申请人：广东博智林机器人有限公司

半导体结构及其制备方法

专利号：CN202210968883.X

公布日：2022-11-08

申请人：长鑫存储技术有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN201911298801.X

公布日：2021-06-18

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

快闪存储器的制造方法

专利号：CN201610307807.9

公布日：2016-09-28

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

金属栅极的制造方法

专利号：CN202310946079.6

公布日：2023-09-15

申请人：上海华力集成电路制造有限公司