硅中的高浓度掺杂

专利号：CN201480042330.5

公布日：2018-11-16

申请人：新南创新私人有限公司

一种光催化材料非金属共掺杂的方法

专利号：CN201911112714.0

公布日：2020-01-24

申请人：苏州大学

制造电子元件的方法以及电子元件

专利号：CN200610094055.9

公布日：2006-12-27

申请人：英飞凌科技股份公司

掺杂多孔石墨烯和有机锂盐复合补锂材料及其制法和应用

专利号：CN202210459654.5

公布日：2022-08-02

申请人：华中科技大学

掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法

专利号：CN201510053246.X

公布日：2019-03-29

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置

专利号：CN201611191190.5

公布日：2017-06-13

申请人：武汉大学;广东昭信半导体装备制造有限公司

一种非金属掺杂基底负载金属单原子催化剂的制备

专利号：CN202310152260.X

公布日：2023-04-18

申请人：厦门大学

过渡金属原子与C空位共掺杂的3C-SiC复合模型及改性方法

专利号：CN202310165918.0

公布日：2023-06-13

申请人：西北大学

硅片器件的低温掺杂方法

专利号：CN200780023661.4

公布日：2009-09-30

申请人：阿里斯技术公司

原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料及制备方法

专利号：CN202211555439.1

公布日：2023-04-07

申请人：长沙新立硅材料科技有限公司

一种Ni单原子-氮掺杂碳纳米催化剂及其制备方法和烟道气转化应用

专利号：CN202111470941.8

公布日：2022-04-05

申请人：电子科技大学长三角研究院（湖州）

铸锭单晶籽晶、铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法

专利号：CN202010673754.9

公布日：2022-02-18

申请人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司

杂原子掺杂过渡金属单原子催化剂及其制备方法与应用

专利号：CN202110554720.2

公布日：2023-03-10

申请人：中国科学技术大学

一种杂原子原位掺杂碳基催化剂的制备方法及其在燃料电池中的应用

专利号：CN201710387692.3

公布日：2017-09-08

申请人：天津工业大学

一种杂原子掺杂型炭气凝胶及其制备方法

专利号：CN201710521810.5

公布日：2017-09-15

申请人：东北林业大学