栅极

专利号：CN98102926.4

公布日：1999-02-17

申请人：EEV有限公司

栅极

专利号：CN98102904.3

公布日：1999-02-17

申请人：EEV有限公司

多栅极器件的栅极结构

专利号：CN202210722668.1

公布日：2023-08-15

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

制造集成电路的方法

专利号：CN201711284903.7

公布日：2019-01-25

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

显示装置以及驱动显示装置的方法

专利号：CN201711381653.9

公布日：2021-02-26

申请人：三星显示有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN201910798625.X

公布日：2021-03-05

申请人：长鑫存储技术有限公司

半导体器件

专利号：CN201921403319.3

公布日：2020-02-21

申请人：长鑫存储技术有限公司

显示装置

专利号：CN201910536099.X

公布日：2020-01-21

申请人：三星显示有限公司

一种焊接的离子推力器栅极组件

专利号：CN201610789555.8

公布日：2018-07-31

申请人：兰州空间技术物理研究所

P型MOS存储单元

专利号：CN201110032426.1

公布日：2011-09-07

申请人：上海宏力半导体制造有限公司

快闪存储单元、快闪存储单元的制造方法及其操作方法

专利号：CN03107883.4

公布日：2004-10-06

申请人：力晶半导体股份有限公司

非易失性存储器及其制造方法

专利号：CN201910808137.2

公布日：2023-04-18

申请人：物联记忆体科技股份有限公司

半导体元件及其制造方法

专利号：CN202111338518.2

公布日：2023-05-02

申请人：力晶积成电子制造股份有限公司

显示装置

专利号：CN201680090322.7

公布日：2022-09-27

申请人：堺显示器制品株式会社

显示装置

专利号：CN201510651452.0

公布日：2019-02-01

申请人：乐金显示有限公司