溅射沉积

专利号：CN202080090902.2

公布日：2022-08-12

申请人：戴森技术有限公司

溅射沉积

专利号：CN202080092664.9

公布日：2022-08-19

申请人：戴森技术有限公司

一种柔刚两用型钙钛矿太阳能电池一体化沉积系统

专利号：CN201711314201.9

公布日：2019-06-21

申请人：中国科学院大连化学物理研究所

溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置及其工作方法

专利号：CN200710131996.X

公布日：2009-03-18

申请人：中国科学院安徽光学精密机械研究所

溅射沉积设备和方法

专利号：CN202080088594.X

公布日：2022-08-02

申请人：戴森技术有限公司

一种磁控溅射靶罩

专利号：CN201320172332.9

公布日：2013-09-11

申请人：昆明理工大学

用于溅射沉积的微型可旋转式溅射装置

专利号：CN201280071216.6

公布日：2017-11-28

申请人：应用材料公司

溅射沉积设备及溅射沉积方法

专利号：CN202111137578.8

公布日：2023-03-21

申请人：上海集成电路材料研究院有限公司

一种沉积设备及其沉积方法

专利号：CN202010011427.7

公布日：2021-07-06

申请人：重庆康佳光电技术研究院有限公司

用于改进间隙填充应用的高产能HDP－CVD处理

专利号：CN200610000511.9

公布日：2006-08-16

申请人：应用材料公司

溅射沉积设备和方法

专利号：CN202080092214.X

公布日：2022-08-19

申请人：戴森技术有限公司

溅射沉积源、溅射沉积设备和为溅射沉积源供电的方法

专利号：CN201980095031.0

公布日：2021-11-16

申请人：应用材料公司

溅射沉积中硒化银膜化学计量比和形态控制

专利号：CN03820606.4

公布日：2006-11-29

申请人：微米技术有限公司

一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法

专利号：CN202210399726.1

公布日：2022-08-12

申请人：上海积塔半导体有限公司

用于垂直磁记录介质的密排六方的陶瓷种子层

专利号：CN200710136153.9

公布日：2008-10-29

申请人：贺利氏有限公司