硅衬底GaN半导体器件外延材料结构

专利号：CN201810485372.6

公布日：2021-01-29

申请人：刘查理

一种提高GaNHEMT钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术

专利号：CN201610117878.2

公布日：2017-09-12

申请人：北京大学

半导体器件及其制造方法

专利号：CN201410281040.8

公布日：2018-03-02

申请人：苏州捷芯威半导体有限公司

潜在崩塌灾害体快速识别方法

专利号：CN202010187226.2

公布日：2022-09-13

申请人：成都理工大学

一种半导体结构及其制备方法

专利号：CN201910143592.5

公布日：2023-10-13

申请人：苏州晶湛半导体有限公司

一种喀斯特地区崩塌最大运动距离计算方法及其应用

专利号：CN201810386784.4

公布日：2018-09-28

申请人：成都理工大学

γ辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法

专利号：CN201410403083.9

公布日：2014-12-03

申请人：中国科学院上海技术物理研究所

一种与Si-CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件

专利号：CN201721577336.X

公布日：2018-09-28

申请人：华南理工大学

一种高陡岩体崩塌机制的物理模型试验系统及方法

专利号：CN201710453926.X

公布日：2018-11-02

申请人：中国地质科学院地质力学研究所;中国地质环境监测院

一种高陡岩体崩塌物理模型试验系统

专利号：CN201720699681.4

公布日：2018-01-12

申请人：中国地质科学院地质力学研究所;中国地质环境监测院

一种基于力学平衡原理的土体崩塌数值模拟方法

专利号：CN201910036443.9

公布日：2020-01-17

申请人：中国水利水电科学研究院

一种基于数字孪生技术的崩塌监测系统与方法

专利号：CN202211065374.2

公布日：2022-11-25

申请人：北京云庐科技有限公司

危岩崩塌试验模拟装置

专利号：CN202111580136.0

公布日：2022-03-04

申请人：四川公路工程咨询监理有限公司

一种增强型氮化物场效应晶体管

专利号：CN202010087726.9

公布日：2021-08-13

申请人：苏州晶界半导体有限公司

常关型沟道调制器件及其制作方法

专利号：CN202111152886.8

公布日：2021-12-31

申请人：西安电子科技大学