近红外线屏蔽膜

专利号：CN200480031592.8

公布日：2006-11-29

申请人：帝人杜邦菲林日本株式会社

半导体装置及半导体装置的制造方法

专利号：CN201610576858.1

公布日：2020-04-03

申请人：东芝存储器株式会社

半导体存储装置及其制造方法

专利号：CN201710774941.4

公布日：2021-12-07

申请人：东芝存储器株式会社

一种金属布线上层间膜的二步淀积法

专利号：CN200310109531.6

公布日：2005-06-22

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

晶体管、电子装置及晶体管之制造方法

专利号：CN202180014587.X

公布日：2022-09-30

申请人：株式会社尼康;东丽工程株式会社

用于淀积具有多层结构的TiN薄膜的方法

专利号：CN200510090670.8

公布日：2006-02-22

申请人：集成工艺系统株式会社

相位差膜积层体、偏光板以及相位差膜积层体的制造方法

专利号：CN201610117920.0

公布日：2019-11-19

申请人：JSR株式会社

半导体存储装置及其制造方法

专利号：CN202210172566.7

公布日：2023-03-14

申请人：铠侠股份有限公司

金属积层陶瓷基板的分断方法

专利号：CN202010581467.5

公布日：2020-11-10

申请人：三星钻石工业股份有限公司

半导体存储装置及其制造方法

专利号：CN201910684441.0

公布日：2020-09-22

申请人：东芝存储器株式会社

半导体装置及其制造方法

专利号：CN202110697656.3

公布日：2022-03-25

申请人：铠侠股份有限公司

一种化妆品用膜布

专利号：CN201410474337.6

公布日：2016-04-13

申请人：东丽纤维研究所(中国)有限公司

积层陶瓷基板的分断方法及刻划装置

专利号：CN201310337997.5

公布日：2014-05-14

申请人：三星钻石工业股份有限公司

积层陶瓷基板的分断方法及刻划装置

专利号：CN201910041487.0

公布日：2019-07-23

申请人：三星钻石工业股份有限公司

光学积层体的制造方法

专利号：CN201680041564.7

公布日：2020-11-24

申请人：日东电工株式会社