形成半导体器件的方法

专利号：CN200710102284.5

公布日：2007-11-14

申请人：三星电子株式会社

一种自整流忆阻器及其制备方法

专利号：CN202211393196.6

公布日：2023-02-03

申请人：华中科技大学

无铅焊点界面金属化合物生长厚度的预测方法和系统

专利号：CN201710240033.7

公布日：2019-11-08

申请人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所

热可逆记录介质和热可逆记录元件

专利号：CN201010576221.5

公布日：2011-09-14

申请人：株式会社理光

金属化合物粒子群、蓄电装置用电极、蓄电装置、及金属化合物粒子群的制造方法

专利号：CN201980076658.1

公布日：2021-07-23

申请人：日本贵弥功株式会社

制造CEM器件的方法

专利号：CN201980058328.X

公布日：2021-04-09

申请人：切尔费实验室公司

焊点的合金化寿命预测方法、装置以及计算机设备

专利号：CN202210570076.2

公布日：2022-09-20

申请人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））

一种三维存储器及其制造方法

专利号：CN202010326207.3

公布日：2022-04-08

申请人：长江存储科技有限责任公司

一种有机电致发光器件及其制备方法

专利号：CN201310747676.2

公布日：2017-08-25

申请人：北京维信诺科技有限公司;清华大学

介质阻挡层及其制造方法、互连结构及其制造方法

专利号：CN201710392032.4

公布日：2021-01-29

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

离子液体中制备的空心纳米核壳结构化合物及其制备方法

专利号：CN202011017301.7

公布日：2020-12-22

申请人：毛小林

铜-陶瓷接合体及绝缘电路基板

专利号：CN202080076483.7

公布日：2022-06-14

申请人：三菱综合材料株式会社

互连结构及互连结构的制造方法

专利号：CN201710374681.1

公布日：2021-04-30

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

一种过渡金属化合物荧光增强异质结构、制备方法和用途

专利号：CN202210379660.X

公布日：2022-07-12

申请人：国家纳米科学中心

保护半导体鳍不受侵蚀的结构及其制造方法

专利号：CN201310545981.3

公布日：2014-05-21

申请人：国际商业机器公司;格罗方德股份有限公司