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“微观领域”的专利侵权司法鉴定

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2020-12-04 10:41:56

“微观领域”产品专利侵权司法鉴定 方法技术方案和产品技术方案 独立专利权利要求

钻瓜导读:在涉及专利侵权的司法鉴定中,需要对技术特征是否相同或等同进行鉴定,进而判断涉嫌/被诉侵权技术方案是否落入专利权利要求的保护范围中。涉嫌/被诉侵权技术方案分为方法技术方案和产品技术方案,本文主要涉及涉嫌/被诉侵权的产品技术方案,论述“微观领域”产品专利侵权的司法鉴定。

在涉及专利侵权的司法鉴定中,需要对技术特征是否相同或等同进行鉴定,进而判断涉嫌/被诉侵权技术方案是否落入专利权利要求的保护范围中。涉嫌/被诉侵权技术方案分为方法技术方案和产品技术方案,本文主要涉及涉嫌/被诉侵权的产品技术方案,论述“微观领域”产品专利侵权的司法鉴定。

我们通常遇到的鉴定事项是“涉嫌/被诉侵权产品的技术方案中的相应技术特征与专利权利要求保护的技术方案中的技术特征是否相同或等同”或者“涉嫌/被诉侵权产品是否具有与专利权利要求中的某个技术特征相同或等同的技术特征”。

在进行此类司法鉴定时,通常采用下面三个步骤:首先,要对委托鉴定的专利权利要求进行分析和解读,将权利要求准确合理地分解为若干技术特征。专利法第五十九条规定“发明或者实用新型专利权的保护范围以其权利要求的内容为准,说明书及附图可以用于解释权利要求的内容”,所以鉴定组应当结合说明书和附图的内容对权利要求的技术特征进行准确的解释和分解;其次,要从涉嫌侵权产品中找到或分析出与权利要求中的技术特征相对应的技术特征。鉴定组应当组织与涉嫌侵权产品的技术领域相关的鉴定专家,通过拆解或检测等手段对涉嫌侵权产品进行分析,从而获得相对应的技术特征;最后,将涉嫌侵权产品的相应技术特征与专利权利要求中的技术特征进行比对,判断是否相同或等同。在这一步骤中,当两者的技术特征有较小差别时,应当特别注意对等同技术特征的判断,即,根据《最高人民法院关于审理专利纠纷案件适用法律问题的若干规定》,判断涉嫌侵权产品中的技术特征是否是与权利要求所记载的技术特征以基本相同的手段,实现基本相同的功能,达到基本相同的效果,并且本领域普通技术人员在被诉侵权行为发生时无需经过创造性劳动就能够联想到的特征。

在鉴定过程中,通常需要对涉嫌侵权产品进行拆解、观察、测试才能获得其技术特征。在机械领域中,当涉嫌侵权产品是一台机械设备或装置时,可以将该设备拆解,观察其内部部件的结构、形状、连接关系,对各部件进行拍照或测量,获得需要的参数、材料等详细信息,从而分析出与专利权利要求中的技术特征相对应的技术特征。在化学领域中,当涉嫌侵权产品是某种化工产品时,可能需要对该产品进行化验、化学分析,从而检测出其成分、配比等与专利权利要求中限定的技术特征相对应的技术特征。

然而在半导体器件领域,器件的尺寸精度级别可能达到了微米级甚至纳米级,半导体器件各层的结构和成分也十分复杂,像这种“微观领域”的涉嫌侵权产品的技术特征是无法通过一般拆解、普通观察、简单化验这些常规手段来获知的。那么像这样的专利侵权鉴定如何进行呢?或者说鉴定在这种侵权案件中起到了哪些作用呢?我们通过一个案例来简要说明一下。

这是一个液晶显示面板的诉前鉴定的案子,委托人向我中心提供了经公证购买的涉嫌侵权产品,即一块某特定型号的液晶显示面板,委托我中心对涉嫌侵权产品的相应技术特征与其发明专利的独立权利要求中的技术特征是否相同或等同进行鉴定。独立权利要求是这样的(注:为避免透露具体案情,此处对权利要求进行了改写):

1、一种液晶显示面板,其特征在于,包括阵列基板(10)、彩膜基板(20)以及位于所述阵列基板(10)与彩膜基板(20)之间的液晶层(30),所述阵列基板(10)包括一第一基板(11)、配置于该第一基板(11)上的一数据线(12)及一扫描线(13)、以及一像素单元(14),所述像素单元(14)包括一薄膜晶体管(15)及一像素电极(16),所述薄膜晶体管(15)具有一栅极、一源极及一漏极,所述栅极与扫描线(13)电性连接,所述源极与数据线(12)电性连接,所述漏极与像素电极(16)通过过孔(17)连接。 

相关附图如下:

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鉴定组将独立专利权利要求的全部技术特征分解如下(为了便于进行分析对比,将其技术特征予以编号):

A:一种液晶显示面板;

B:液晶显示面板包括阵列基板(10)、彩膜基板(20)以及位于阵列基板(10)与彩膜基板(20)之间的液晶层(30);

C:所述阵列基板(10)包括一第一基板(11)、配置于该第一基板(11)上的一数据线(12)及一扫描线(13)、以及一像素单元(14);

D:所述像素单元(14)包括一薄膜晶体管(15)及一像素电极(16);

E:所述薄膜晶体管(15)具有一栅极、一源极及一漏极;

F:所述栅极与扫描线(13)电性连接,所述源极与数据线(12)电性连接;

G:所述漏极与像素电极(16)通过过孔(17)电性连接。

在进行技术特征的比对之前,如何从委托人提供的液晶显示面板中获得与独立权利要求中的技术特征相对应的技术特征呢?鉴定中心委托有资质有能力的检测机构,对这块液晶显示面板进行拆解和检测,根据检测结果,分析出与权利要求技术特征相对应的技术特征。

在委托检测机构进行检测时,鉴定组必须与检测工程师进行深入的沟通,向检测工程师讲解权利要求中的技术特征的含义以及各种器件的结构和功能,并且与检测工程师协商制定检测方案,选择检测手段和检测设备。

在半导体领域的检测中,通常会用到以下检测手段和检测设备:

1图像显微拍照

图像显微拍照就是对放置于显微镜步进台上的特定层次样品,按照一定规律进行步进,并对每个步进位置进行图像拍摄的过程。

显微镜是显微图像采集系统的核心,其成像品质决定了整个系统的品质。常见的用于图像采集的显微镜有光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)。

光学显微镜(Optical Microscopy,缩写 OM)是利用可见光照射在样品表面造成局部散射或反射形成不同的对比来成像,其理论分辨率极限为0.2~0.3um。

扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,缩写 SEM)是利用细聚焦电子束在样品表面扫描时激发出来的各种物理信号来调制成像的,主要是利用二次电子信号成像来观察样品的表面形貌。扫描电子显微镜的极限分辨率是2nm。

2能量色散 X 射线光谱仪成分分析

能量色散 X 射线光谱仪(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy,缩写 EDX),是利用电子束入射固体材料表面时产生的特征 X 射线实现成分分析的,特征 X 射线波长和原子序数有一定关系,测定这些特征谱线的波长或能量可测定样片的所含的元素。

EDX 成分分析存在误差,在核实某一薄膜层成分时,应结合实际的工艺制造流程来区分干扰元素、邻近元素及组成元素。

在本案例中,通过鉴定人员与检测工程师的沟通,针对公证购买的涉嫌侵权产品确定了如下检测步骤:裂片分解-->平面分析-->纵切分析-->EDX成分分析。

其中,裂片分解是利用电锯将液晶显示面板进行切割,对切割下来的一小片面板进行制备以用于后续检测分析;

平面分析是利用OM拍照和SEM拍照的手段,对液晶面板的像素单元的平面构造进行拍照和分析;

纵切分析是利用聚焦离子束(FIB)对液晶面板的阵列基板的特定部位进行切割,并利用SEM拍照的手段对阵列基板的多层结构的截面进行拍照和分析;

EDX成分分析是利用SEM拍照和EDX分析的手段,分析多层结构中的某层的成分。

通过上述检测手段,结合鉴定人员的分析判断,可以获知涉嫌侵权产品中与权利要求技术特征相对应的技术特征。下面举例说明:

示例1:专利技术特征“液晶显示面板包括阵列基板(10)”

检测步骤和检测结果:

在分析涉嫌侵权产品中与该技术特征相对应的技术特征时,检测机构对裂片后的液晶面板残片进行OM拍照,获得下图:

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由图4可知,涉嫌侵权产品的液晶显示面板包括上基板、下基板。但是如何确定下基板是否为阵列基板呢?继续对下基板正面和背面的局部进行OM拍照,获得下图:

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鉴定组分析:

根据薄膜晶体管液晶显示器的常识,阵列基板包括由水平的多条扫描线和竖直的多条数据线交叉限定的多个像素单元,这些像素单元排布成具有行列形式的像素矩阵,每个像素单元均含有一个薄膜晶体管(TFT)作为控制像素单元是否显示的开关器件。

由图6、图7可知,下基板包含若干个像素单元,排布成具有行列形式的像素矩阵,每个像素单元由水平和竖直的金属线(经验证为扫描线和数据线)交叉限定。由图8可知,每个像素单元均包含一个U形结构的器件。根据薄膜晶体管液晶显示器的原理以及后续对该U形结构器件的纵切分析,鉴定组确定该U形结构的器件为薄膜晶体管(TFT),是用于控制每个像素单元是否显示的开关器件。

在以上检测图像的基础上,结合液晶显示器领域的公知常识,鉴定组确定涉嫌侵权产品中的下基板为阵列基板。

因此,鉴定组分析涉嫌侵权产品包括“液晶显示面板包括阵列基板”的技术特征。

示例2:专利技术特征D“所述像素单元(14)包括一薄膜晶体管(15)及一像素电极(16)”

在分析涉嫌侵权产品中与该技术特征相对应的技术特征时,“像素单元包括一薄膜晶体管”的技术特征已经通过前面的检测和分析得到了确认,那么接下来要确定像素单元是否包括像素电极。

检测步骤和检测结果:

检测机构对阵列基板(TFT基板)上的像素单元的局部沿A-A’线进行纵切,如下图所示:

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对纵切后的TFT基板的截面进行SEM拍照并对TFT的漏极局部进行SEM放大拍照,获得下图:

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为了分析漏极部位(红框所示)的各层的结构和成分,继续对漏极左端部位进行SEM放大拍照,并用EDX-01至EDX-07标识各层,获得下图:

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然后,根据液晶显示器领域中阵列基板的常规构造,可以推测EDX-02层应为像素电极层。为了验证和确认,对EDX-02层进行EDX成分分析,获得下图:

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由EDX-02层的成分分析图,可以得知该层的组成元素为In(铟)、O(氧)。

鉴定组分析:

在以上检测图像的基础上,鉴定组认为,根据液晶显示器领域的常识,像素电极是透明导电薄膜,整层形成在阵列基板上,在薄膜晶体管导通时像素电极接收漏极的电荷并与对面基板(彩膜基板)的公共电极形成电场,以驱动液晶旋转进行显示。像素电极通常由ITO材料(氧化铟锡)构成。ITO材料是一种透明导电材料,其化学成分及比例为In₂O₃:SnO₂=9:1。经EDX测量,EDX-02层的组成元素为In(铟)、O(氧)(由于Sn(锡)元素含量较少,通过EDX测量无法被测量出来),结合液晶显示器领域公知常识,可以确定阵列基板上的EDX-02层为由ITO导电材料构成的像素电极。

综上,鉴定组分析涉嫌侵权产品包括“像素单元包括一薄膜晶体管及一像素电极”的技术特征。

示例3:专利技术特征G“所述漏极与像素电极(16)通过过孔(17)电性连接”

检测步骤和检测结果:

在分析涉嫌侵权产品中与该技术特征相对应的技术特征时,检测机构对阵列基板(TFT基板)上像素单元的局部沿A-A’线进行纵切,如下图所示:

image.png

从图8可以看到,靠近A端的圆形区域即是过孔区域。对纵切后的TFT基板的截面进行SEM拍照并对TFT的漏极局部和过孔区域进行SEM放大拍照,获得下图:

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鉴定组分析:

鉴定组对上图进行分析,根据前述薄膜晶体管的构造和对EDX-07层的成分分析,可以确认并标识出漏极;根据对EDX-02层的成分分析,可以确认并标识出像素电极,如下图所示:

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由上图可以看出,漏极上面的部分绝缘层被去除以形成一凹坑(图中红线所示),该凹坑就是过孔。像素电极是ITO透明导电薄膜,在阵列基板制造工艺中,像素电极是整层沉积在像素区域中的,因此过孔区域的像素电极在沉积时通过过孔沉积在漏极上,从而与漏极电性连接。

因此,鉴定组分析涉嫌侵权产品包括“漏极与像素电极通过过孔电性连接”的技术特征。

鉴定组通过检测和分析,从涉嫌侵权产品中找到并分析出与独立权利要求的全部技术特征相对应的技术特征,然后将涉嫌侵权产品和独立权利要求中的相应技术特征进行比对,如下面的技术特征比对表所示:

专利独立权利要求与涉嫌侵权产品技术特征比对表

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由上表可以看出,涉嫌侵权产品中的相应技术特征与专利独立权利要求中的全部技术特征分别相同(在该案例中没有出现等同或不同的技术特征),至此鉴定组得出鉴定意见,完成了整个鉴定过程。

通过上面这个案例,可以看出“微观领域”中的专利侵权司法鉴定有以下几点需要注意:

1、鉴定组应当根据涉案的技术领域和涉嫌侵权产品中相关器件的尺寸范围和精度,选择具有相应检测能力和检测手段的检测机构。
2、在检测前,鉴定人员应当与检测人员进行充分的沟通和探讨,从而确定与专利技术特征相对应的产品检测方案,包括商定需要采用的检测手段和所需的检测设备。
3、在获得检测图像或检测结果后,鉴定组应当结合该技术领域中的知识,依据鉴定专家的经验,从涉嫌侵权产品的检测结果中分析和确定与专利权利要求技术特征相对应的技术特征。也就是说,鉴定起到了一种从检测结果到涉嫌侵权产品技术特征的桥梁的作用。这点尤其在争议较大的技术特征的确定中是更为重要的。

以上是“微观领域”的专利侵权司法鉴定的一些思路和做法,欢迎大家批评指正。

(来源:知识产权那点事)

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