多堆叠半导体器件

专利号：CN202310429553.8

公布日：2023-10-27

申请人：三星电子株式会社

反相器及其制备方法、半导体器件、芯片、终端设备

专利号：CN202180095526.0

公布日：2023-10-27

申请人：华为技术有限公司

一种共栅三维集成的CFET器件结构及其制备方法

专利号：CN202310318432.6

公布日：2023-10-20

申请人：中国科学院微电子研究所

半导体装置、包括其的集成电路和多值逻辑装置

专利号：CN202310422010.3

公布日：2023-10-20

申请人：三星电子株式会社

半导体器件

专利号：CN202310967250.1

公布日：2023-10-20

申请人：三星电子株式会社

半导体装置和用于制造该半导体装置的方法

专利号：CN202310221219.3

公布日：2023-10-17

申请人：三星电子株式会社

半导体器件及其制备方法、半导体晶圆

专利号：CN202310902084.7

公布日：2023-10-13

申请人：深圳市汇芯通信技术有限公司

化合物半导体与碳纳米管单片集成器件的结构及制备方法

专利号：CN202310780539.2

公布日：2023-10-13

申请人：西安电子科技大学

一种量子点器件及其制备方法

专利号：CN202010758056.9

公布日：2023-10-13

申请人：中国科学院微电子研究所

一种半导体器件及其制作方法

专利号：CN202310753018.8

公布日：2023-10-13

申请人：合肥晶合集成电路股份有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202310961836.7

公布日：2023-10-10

申请人：飞锃半导体（上海）有限公司

包括背面电源过孔的半导体器件及其形成方法

专利号：CN202310077425.1

公布日：2023-10-03

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件及其形成方法

专利号：CN202310670962.7

公布日：2023-09-29

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

CMOS结构及其制造方法

专利号：CN202310289118.X

公布日：2023-09-29

申请人：三星电子株式会社

一种低压、低功率互补电路、一种反相器和一种NAND器件

专利号：CN201911346079.2

公布日：2023-09-29

申请人：苏州大学