一种LED芯片及其制备方法

专利号：CN202310906528.4

公布日：2023-10-27

申请人：江西兆驰半导体有限公司

高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件

专利号：CN202311204131.7

公布日：2023-10-27

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

专利号：CN202311206427.2

公布日：2023-10-27

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种发光二极管外延片及制备方法

专利号：CN202311188650.9

公布日：2023-10-27

申请人：江西兆驰半导体有限公司

LED芯片的制备方法及LED芯片

专利号：CN202310916033.X

公布日：2023-10-27

申请人：江西兆驰半导体有限公司

高光提取效率的LED外延片及其制备方法

专利号：CN202311114188.8

公布日：2023-10-27

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片

专利号：CN202310904852.2

公布日：2023-10-27

申请人：江西兆驰半导体有限公司

发光二极管外延片及其制备方法、LED

专利号：CN202311008965.0

公布日：2023-10-27

申请人：江西兆驰半导体有限公司

发光二极管外延片及其制备方法、LED

专利号：CN202311029088.5

公布日：2023-10-24

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种LED芯片制备方法、LED芯片

专利号：CN202310915470.X

公布日：2023-10-24

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种Micro LED芯片测试方法及装置

专利号：CN202311025256.3

公布日：2023-10-24

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

专利号：CN202311206423.4

公布日：2023-10-24

申请人：江西兆驰半导体有限公司

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

专利号：CN202311188712.6

公布日：2023-10-24

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片

专利号：CN202311204129.X

公布日：2023-10-24

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种垂直发光二极管及其制备方法、LED灯板

专利号：CN202311206421.5

公布日：2023-10-24

申请人：江西兆驰半导体有限公司