透射型二次电子面及电子管

专利号：CN03804924.4

公布日：2005-07-13

申请人：浜松光子学株式会社

二次电子发射系数确定方法和装置

专利号：CN202310822095.4

公布日：2023-09-29

申请人：北京卫星环境工程研究所

利用二次电子的电子投影光刻装置

专利号：CN200310102435.9

公布日：2004-05-19

申请人：三星电子株式会社

样品失效分析方法

专利号：CN201010245311.6

公布日：2012-02-08

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

一种金属表面二次电子能谱分布测试方法

专利号：CN201810967001.1

公布日：2019-01-04

申请人：中国工程物理研究院流体物理研究所

一种金属表面二次电子发射系数测试方法

专利号：CN201810965994.9

公布日：2018-12-21

申请人：中国工程物理研究院流体物理研究所

离子诱导材料表面二次电子发射产额的检测方法

专利号：CN202110174875.3

公布日：2021-06-18

申请人：中国建筑材料科学研究总院有限公司

二次电子特性参数的测量装置

专利号：CN201520504454.2

公布日：2015-11-25

申请人：中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心

用于二次离子以及直接和间接二次电子的粒子检测器

专利号：CN200680016261.6

公布日：2008-06-04

申请人：EL－MUL科技有限公司

一种确定非均匀场分布多载波微放电二次电子数目的方法

专利号：CN201410286017.8

公布日：2017-01-11

申请人：西安空间无线电技术研究所

一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用

专利号：CN202110789989.9

公布日：2023-04-28

申请人：中国工程物理研究院流体物理研究所

一种二次电子产额测量的校准装置及方法

专利号：CN202310382582.3

公布日：2023-08-22

申请人：中国科学院电工研究所

二次电子特性参数的测量装置和方法

专利号：CN201510409157.4

公布日：2017-11-21

申请人：中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心

一种二次电子发射系数计算方法及计算机终端设备

专利号：CN202110123365.3

公布日：2021-06-11

申请人：广东电网有限责任公司电力科学研究院

二次电子探测器、带电粒子光学成像设备及探测方法

专利号：CN201910494648.1

公布日：2020-09-04

申请人：上海精测半导体技术有限公司