相变化光盘片

专利号：CN200410005932.1

公布日：2005-08-31

申请人：精碟科技股份有限公司

包括介电层的半导体装置及其形成方法

专利号：CN202310107180.2

公布日：2023-08-11

申请人：三星电子株式会社

电容器和包括电容器的DRAM器件

专利号：CN202211657948.5

公布日：2023-06-30

申请人：三星电子株式会社

光记录介质及其制造方法

专利号：CN200710128370.3

公布日：2008-01-09

申请人：索尼株式会社

光记录介质及其制造方法

专利号：CN200480000265.6

公布日：2005-11-16

申请人：索尼株式会社

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202111134886.5

公布日：2023-03-31

申请人：华邦电子股份有限公司

内连接结构

专利号：CN202210314558.1

公布日：2022-08-30

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

在半导体中形成漏斗形介层窗的方法

专利号：CN01110219.5

公布日：2002-11-06

申请人：华邦电子股份有限公司

具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法

专利号：CN200410082530.1

公布日：2005-03-23

申请人：三星电子株式会社

复合材料结构、包括复合材料的电路板结构与其形成方法

专利号：CN200910202902.2

公布日：2010-11-24

申请人：欣兴电子股份有限公司

触控面板以及显示装置

专利号：CN202010267378.3

公布日：2020-08-04

申请人：TCL华星光电技术有限公司

半导体装置及集成电路装置

专利号：CN200610074383.2

公布日：2007-04-18

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

晶体管结构及其制造方法

专利号：CN201910885457.8

公布日：2020-04-03

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

制造半导体元件的方法

专利号：CN202210280810.1

公布日：2022-12-27

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件及其制作方法

专利号：CN201410245009.9

公布日：2017-12-19

申请人：无锡华润上华科技有限公司