多层薄膜电极、高频传输线路、高频共振器和高频滤波器

专利号：CN97105527.0

公布日：2003-08-13

申请人：株式会社村田制作所

一种半导体结构及其制造方法

专利号：CN201711039533.0

公布日：2022-06-10

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

制造闪存装置的方法

专利号：CN200810126237.9

公布日：2009-04-29

申请人：东部高科股份有限公司

制造介电层的方法

专利号：CN201811185781.0

公布日：2020-02-21

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

介电膜制造方法以及使用了该介电膜制造方法的电容器层形成材料的制造方法

专利号：CN200980110443.3

公布日：2011-02-23

申请人：学校法人东京理科大学;三井金属矿业株式会社

半导体器件

专利号：CN202010091291.5

公布日：2020-09-15

申请人：三星电子株式会社

介电质膜高反射镜

专利号：CN202222874482.6

公布日：2023-03-24

申请人：伯恩光学（惠州）有限公司

一种基于介电弹性体的可变焦腔型镜头

专利号：CN202010660777.6

公布日：2020-11-17

申请人：东南大学

一种DMF介电层覆膜方法、系统及数字微流控芯片

专利号：CN202111553097.5

公布日：2022-03-08

申请人：北京理工大学

卷绕式膜电容器

专利号：CN200680056708.2

公布日：2009-12-09

申请人：ABB研究有限公司

用于制造在触摸面板中使用的透明主体的方法与系统

专利号：CN201180033495.2

公布日：2013-03-20

申请人：应用材料公司

介电薄膜、其制作方法及导电插塞

专利号：CN202310645608.9

公布日：2023-08-29

申请人：合肥晶合集成电路股份有限公司

电容器及其制备方法

专利号：CN202010009965.2

公布日：2021-07-06

申请人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司

氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法

专利号：CN202010057814.4

公布日：2020-08-11

申请人：ASMIP私人控股有限公司

热流体流传感器

专利号：CN202080073313.3

公布日：2022-08-12

申请人：弗卢斯索有限公司