一种位错特征的三维图示化表示方法

专利号：CN202110901900.3

公布日：2021-10-15

申请人：重庆大学

刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的建模方法

专利号：CN201910118707.5

公布日：2021-09-03

申请人：辽宁石油化工大学

一种位错界面特征三维可视化方法

专利号：CN202210856051.9

公布日：2022-11-01

申请人：重庆大学

一种基于张量分解和共同近邻确定位错核结构的方法

专利号：CN201810711716.0

公布日：2021-03-02

申请人：北京航空航天大学

碳化硅外延基板和制造碳化硅半导体器件的方法

专利号：CN201880003964.8

公布日：2020-02-21

申请人：住友电气工业株式会社

硅块端面的位错比例值的评估方法、去除方法、装置和介质

专利号：CN202211401464.4

公布日：2023-05-02

申请人：新余赛维铸晶技术有限公司

SiC晶片及SiC晶片的制造方法

专利号：CN201780079551.3

公布日：2021-05-11

申请人：昭和电工株式会社;株式会社电装

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法

专利号：CN200580042970.7

公布日：2007-11-28

申请人：奥普特冈有限公司

一种碳化硅衬底位错自动识别方法及系统

专利号：CN202011279607.X

公布日：2022-10-18

申请人：山东天岳先进科技股份有限公司

砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法

专利号：CN201910479476.0

公布日：2020-12-15

申请人：中国科学院半导体研究所

半导体晶片位错密度的检测方法

专利号：CN201710391326.5

公布日：2017-11-17

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

异质外延生长的氮化镓位错密度测定方法

专利号：CN201310365253.4

公布日：2014-01-01

申请人：南京信息工程大学

一种考虑位错影响的氮化镓HEMT器件模型的建模方法

专利号：CN202211240149.8

公布日：2023-05-23

申请人：杭州电子科技大学

一种碳化硅晶体的位错识别方法

专利号：CN202010042808.1

公布日：2020-06-05

申请人：山东天岳先进材料科技有限公司

生长在刃型位错模板上的Ⅲ族氮化物器件

专利号：CN200880101732.2

公布日：2010-09-29

申请人：皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司