形成介电结构的方法以及半导体结构

专利号：CN200810005454.2

公布日：2008-08-13

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种应用于天线振子的低介电改性PPS及其制备方法

专利号：CN202211114367.7

公布日：2022-11-18

申请人：山东产研明泉新材料研究院有限公司

低介电树脂组合物及应用其的胶片及电路板

专利号：CN201710153063.4

公布日：2020-11-13

申请人：臻鼎科技股份有限公司

低介电玻璃组成物、低介电玻璃、低介电玻璃纤维及制品

专利号：CN202210715031.X

公布日：2022-09-02

申请人：富乔工业股份有限公司

一种低介电和低介损玻纤覆铜板及其制备方法

专利号：CN201711440298.8

公布日：2020-06-30

申请人：四川东材科技集团股份有限公司

低k值介电材料沉积设备部件的清洗装置及清洗方法

专利号：CN201010022573.6

公布日：2011-07-13

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

低介电材料

专利号：CN201910318441.9

公布日：2019-07-05

申请人：联茂(无锡)电子科技有限公司

低介电材料

专利号：CN201610167700.9

公布日：2020-04-24

申请人：联茂电子股份有限公司

用于互连工艺的半导体结构及其制造方法

专利号：CN201010110556.8

公布日：2011-08-10

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

集成电路结构及其形成方法

专利号：CN202210152098.7

公布日：2022-09-02

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种半导体器件的制造方法

专利号：CN201110193343.0

公布日：2013-01-16

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

避免低介电常数介电层劣化的方法

专利号：CN02140253.1

公布日：2003-02-05

申请人：联华电子股份有限公司

于低介电系数介电层上形成孔洞的方法

专利号：CN200710106933.9

公布日：2008-03-26

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

多孔低介电薄膜、其制作方法及包括其的层间介质层

专利号：CN201410443187.2

公布日：2019-01-08

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

集成电路结构

专利号：CN200810149643.7

公布日：2009-10-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司