抗体恒定区修饰体

专利号：CN200880118581.1

公布日：2010-10-27

申请人：中外制药株式会社

多区气囊帘体

专利号：CN200680011055.6

公布日：2008-04-02

申请人：美利肯公司

具有流体区的带体结构

专利号：CN201721448015.X

公布日：2018-07-24

申请人：四维精密材料股份有限公司;有玄物联网(上海)有限公司

具有多熔体区的坩埚

专利号：CN202220735391.1

公布日：2022-08-09

申请人：徐州鑫晶半导体科技有限公司

办案区审讯一体桌

专利号：CN202130802826.0

公布日：2022-01-11

申请人：天地伟业技术有限公司

具有自对准体的半导体器件及其形成方法

专利号：CN200510106912.8

公布日：2006-05-03

申请人：三星电子株式会社

LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法

专利号：CN201811567232.X

公布日：2023-09-12

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

横向双扩散晶体管及其制造方法

专利号：CN202010685901.4

公布日：2022-09-16

申请人：杰华特微电子股份有限公司

一种体模消毒设备

专利号：CN202121668953.7

公布日：2022-02-01

申请人：广州亲安环保科技有限公司

一种高压变频器

专利号：CN201621216639.4

公布日：2017-07-04

申请人：天安电气集团浙江电气有限公司

一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法

专利号：CN202010844426.0

公布日：2020-12-08

申请人：中国科学院微电子研究所

一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法

专利号：CN201310208368.2

公布日：2013-08-21

申请人：深圳市锐骏半导体有限公司

功率晶体管

专利号：CN202210296242.4

公布日：2022-07-12

申请人：苏州迈志微半导体有限公司

具有埋置沟道区/体区的半导体器件及其制造方法

专利号：CN201410799027.1

公布日：2015-07-01

申请人：英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

半导体装置

专利号：CN201811474807.3

公布日：2022-10-04

申请人：株式会社电装