磁阻效应元件及其制造方法、以及位置检测装置

专利号：CN201710575333.0

公布日：2020-03-31

申请人：TDK株式会社

一种静电场治疗装置

专利号：CN202022091409.2

公布日：2021-06-08

申请人：郑州静美医疗设备科技有限公司

场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质

专利号：CN202211289122.8

公布日：2023-01-31

申请人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司

基于有机场效应管结构的极性分子气体传感器及制备方法

专利号：CN201410038167.7

公布日：2014-04-30

申请人：江苏物联网研究发展中心

在体硅上制造1T－DRAM的方法

专利号：CN200710100618.5

公布日：2007-09-19

申请人：马维尔国际贸易有限公司

磁传感器装置

专利号：CN201780019973.1

公布日：2021-09-17

申请人：三菱电机株式会社

磁阻效应器件

专利号：CN201811479123.2

公布日：2023-01-10

申请人：TDK株式会社

等离子体霍尔效应推力器励磁绕组温度在线监测方法

专利号：CN201310441397.3

公布日：2013-12-25

申请人：哈尔滨工业大学

应用于MOSFET电学仿真的BSIM3 HCI可靠性模型

专利号：CN200810204973.1

公布日：2009-06-24

申请人：上海集成电路研发中心有限公司;华东师范大学

微波效应板

专利号：CN200920084944.6

公布日：2010-03-03

申请人：赵斌

低电阻场效应晶体管及其制造方法

专利号：CN201780095403.0

公布日：2020-05-12

申请人：英特尔公司

一种绝缘体上硅器件及其制备方法

专利号：CN200910305117.X

公布日：2010-01-06

申请人：中国科学院微电子研究所

一种绝缘体上硅场效应晶体管热阻提取方法

专利号：CN201110187366.0

公布日：2012-02-15

申请人：中国科学院微电子研究所

一种多面体特殊效应颜料及其制备方法和免喷涂材料

专利号：CN202211198065.2

公布日：2023-01-17

申请人：金发科技股份有限公司

体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法

专利号：CN201110072207.6

公布日：2011-08-10

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所