用于互连工艺的半导体结构及其制造方法

专利号：CN201010110556.8

公布日：2011-08-10

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

低k值介电材料沉积设备部件的清洗装置及清洗方法

专利号：CN201010022573.6

公布日：2011-07-13

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法

专利号：CN200910196266.7

公布日：2011-04-20

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

用于检验介电薄膜可靠性的方法

专利号：CN95120985.X

公布日：1997-03-19

申请人：现代电子产业株式会社

像素结构及应用其的液晶显示结构

专利号：CN201210106158.8

公布日：2013-10-30

申请人：群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司

形成多重内连线与内金属介电质的连接构造的改良方法

专利号：CN00131884.5

公布日：2004-08-25

申请人：联华电子股份有限公司

低k值介电薄膜形成方法

专利号：CN201010022584.4

公布日：2011-07-13

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

多层半导体集成电路结构的制作方法及其电路结构

专利号：CN200310117999.X

公布日：2004-10-13

申请人：国际商业机器公司

半导体装置及其制造方法

专利号：CN200510079342.8

公布日：2006-01-25

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

线路板线路阻值检测方法、装置、计算机设备和存储介质

专利号：CN202211116818.0

公布日：2023-01-06

申请人：金禄电子科技股份有限公司

具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片及制备方法

专利号：CN201810684623.3

公布日：2020-01-07

申请人：昆山雅森电子材料科技有限公司

具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片

专利号：CN201821006650.7

公布日：2019-03-29

申请人：昆山雅森电子材料科技有限公司

防止多晶硅栅极被研磨的方法

专利号：CN201410512495.6

公布日：2016-04-27

申请人：盛美半导体设备(上海)有限公司

具有高Dk和低Df特性的复合式高频基板及制备方法

专利号：CN201810683129.5

公布日：2020-01-07

申请人：昆山雅森电子材料科技有限公司

集成电路结构及其形成方法

专利号：CN201610649787.3

公布日：2019-12-27

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司