刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法

专利号：CN201910655162.1

公布日：2019-11-22

申请人：长江存储科技有限责任公司

刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备

专利号：CN202021001856.8

公布日：2020-10-30

申请人：通威太阳能（眉山）有限公司

刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法

专利号：CN201910342868.2

公布日：2019-06-25

申请人：深圳市华星光电技术有限公司

刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法

专利号：CN201910336342.3

公布日：2020-11-24

申请人：深圳市华星光电技术有限公司

一种半导体器件及其制作方法

专利号：CN201710019827.0

公布日：2019-05-21

申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

一种小面积图形刻蚀深度的测量方法

专利号：CN201410805198.0

公布日：2018-07-03

申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

预测刻蚀开口面积及刻蚀掩膜厚度和刻蚀深度模型的方法

专利号：CN202210498782.0

公布日：2022-08-05

申请人：浙江大学杭州国际科创中心

一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置

专利号：CN202210338727.5

公布日：2022-06-10

申请人：重庆大学

刻蚀设备及刻蚀方法

专利号：CN202111472553.3

公布日：2022-03-11

申请人：北京芯愿景软件技术股份有限公司

湿法刻蚀系统及湿法刻蚀方法

专利号：CN201710024793.4

公布日：2017-05-10

申请人：京东方科技集团股份有限公司

补充刻蚀方法、半导体刻蚀设备

专利号：CN202011315376.3

公布日：2021-03-12

申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

通过光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统及方法

专利号：CN201510591324.1

公布日：2019-08-02

申请人：苏州能屋电子科技有限公司

刻蚀加工方法和装置、半导体器件

专利号：CN202310190899.7

公布日：2023-08-04

申请人：浙江大学杭州国际科创中心

组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法

专利号：CN202111203335.X

公布日：2022-01-18

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

刻蚀方法和刻蚀系统

专利号：CN200910197444.8

公布日：2011-05-04

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司