晶体管的形成方法

专利号：CN201210492208.0

公布日：2014-06-04

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

PMOS晶体管金属栅极的制造方法

专利号：CN201110397349.X

公布日：2013-06-05

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

半导体结构的形成方法

专利号：CN201710131162.2

公布日：2021-03-09

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

半导体装置

专利号：CN202010682034.9

公布日：2021-02-26

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件及方法

专利号：CN202110460017.5

公布日：2022-05-20

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

晶体管栅极结构及其形成方法

专利号：CN202110569082.1

公布日：2022-06-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202010924126.3

公布日：2022-03-04

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

具有HKMG的PMOS

专利号：CN201810330260.3

公布日：2018-08-17

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

PMOS晶体管及其形成方法

专利号：CN201510654252.0

公布日：2020-03-10

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

半导体器件

专利号：CN201811567096.4

公布日：2019-07-05

申请人：三星电子株式会社

P型半导体器件及其制造方法

专利号：CN201911133329.4

公布日：2020-03-06

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

包含有效功函数可调功函数金属层的栅极结构及其制备方法

专利号：CN202310170250.9

公布日：2023-06-09

申请人：复旦大学

一种降低高K金属栅有效功函数的方法

专利号：CN202210853805.5

公布日：2022-11-11

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

高介电金属栅极MOSFET结构及其制造方法

专利号：CN202010861216.2

公布日：2020-12-04

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

改善SRAM性能的方法

专利号：CN201510896857.0

公布日：2020-03-10

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司