半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构

专利号：CN200610064882.3

公布日：2007-09-19

申请人：中国科学院半导体研究所

氮化物半导体发光元件及其制造方法

专利号：CN202111587978.9

公布日：2022-06-24

申请人：日亚化学工业株式会社

肖特基势垒制作方法及肖特基势垒

专利号：CN201410758156.6

公布日：2015-03-04

申请人：中国电子科技集团公司第四十七研究所

一种具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管

专利号：CN201810984729.5

公布日：2019-02-15

申请人：西安电子科技大学

砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法

专利号：CN200510086639.7

公布日：2007-04-25

申请人：中国科学院半导体研究所

磁隧道结势垒层及势垒叠层制备方法

专利号：CN202111680399.9

公布日：2023-07-11

申请人：浙江驰拓科技有限公司

一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法

专利号：CN201710052574.7

公布日：2018-04-20

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所

一种肖特基势垒接触的超势垒整流器

专利号：CN201720104249.6

公布日：2017-10-20

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所

p-GaN基增强型HEMT器件

专利号：CN201810220253.8

公布日：2022-04-26

申请人：英诺赛科（珠海）科技有限公司

一种掺杂的肖特基势垒器件

专利号：CN201420442005.5

公布日：2015-06-03

申请人：上海芯石微电子有限公司

肖特基势垒

专利号：CN201420778129.0

公布日：2015-05-13

申请人：中国电子科技集团公司第四十七研究所

一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件

专利号：CN202110258496.2

公布日：2022-09-13

申请人：苏州能讯高能半导体有限公司

一种倒三角势垒的GaN基LED外延结构及其生长方法

专利号：CN202011195545.4

公布日：2021-03-02

申请人：扬州大学

一种高击穿电压的GaN HEMT元件

专利号：CN202121263465.8

公布日：2021-11-09

申请人：欧跃半导体（西安）有限公司

一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法

专利号：CN201710101799.7

公布日：2018-04-20

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司