半导体装置

专利号：CN201811210323.8

公布日：2021-09-24

申请人：株式会社电装

一种肖特基二极管的元胞结构

专利号：CN202310392327.7

公布日：2023-07-14

申请人：北京智慧能源研究院

具有多层势垒区的III-V族类型半导体器件

专利号：CN202211031597.7

公布日：2023-03-03

申请人：英飞凌科技奥地利有限公司

一种高击穿电压的GaN HEMT元件

专利号：CN202121263465.8

公布日：2021-11-09

申请人：欧跃半导体（西安）有限公司

具备信号电荷选择功能的CCD像元结构

专利号：CN201310627833.6

公布日：2014-02-19

申请人：中国电子科技集团公司第四十四研究所

半导体器件和具有势垒区的绝缘栅双极型晶体管

专利号：CN201410706951.0

公布日：2018-12-25

申请人：英飞凌科技股份有限公司

具有势垒的隧道晶体管

专利号：CN200780003316.4

公布日：2009-02-25

申请人：NXP股份有限公司

一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法

专利号：CN201710052574.7

公布日：2018-04-20

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所

一种肖特基势垒接触的超势垒整流器

专利号：CN201720104249.6

公布日：2017-10-20

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所

一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法

专利号：CN201710101799.7

公布日：2018-04-20

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司

一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器

专利号：CN201720168934.5

公布日：2017-11-21

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司

一种基于GaN的横向结势垒肖特基二极管及其制备方法

专利号：CN202010887566.6

公布日：2022-07-22

申请人：西安电子科技大学

一种优化势垒区像素离子注入改善串扰的方法

专利号：CN201811246105.X

公布日：2020-10-16

申请人：上海华力微电子有限公司

反向导通绝缘栅双极性晶体管

专利号：CN201510918997.3

公布日：2018-10-30

申请人：丰田自动车株式会社

分段肖特基二极管

专利号：CN202111637442.3

公布日：2022-07-01

申请人：德州仪器公司