一种高效激发的LED外延片及芯片

专利号：CN202222010051.5

公布日：2022-12-13

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种可调控偏振发光模式的发光二极管

专利号：CN202211412638.7

公布日：2023-05-12

申请人：南京邮电大学

半导体发光元件及其制造方法

专利号：CN200380103589.8

公布日：2005-12-28

申请人：先锋株式会社

一种提高势阱质量的LED外延结构及其制备方法

专利号：CN201711084935.2

公布日：2019-05-14

申请人：山东浪潮华光光电子股份有限公司

大功率垂直外腔表面发射激光器

专利号：CN200610090854.9

公布日：2007-01-10

申请人：三星电子株式会社

一种闪存单元及其制造方法

专利号：CN202010756531.9

公布日：2020-10-09

申请人：山东华芯半导体有限公司

一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管

专利号：CN201410602125.1

公布日：2015-07-29

申请人：北京工业大学

共振隧穿二极管及其制作方法

专利号：CN202180094221.8

公布日：2023-10-20

申请人：苏州晶湛半导体有限公司

一种GaN基LED外延结构及其制备方法

专利号：CN201810060857.0

公布日：2018-07-13

申请人：映瑞光电科技（上海）有限公司

一种GaN基外延结构

专利号：CN202020890872.0

公布日：2020-11-24

申请人：厦门市三安集成电路有限公司

LED外延的制备方法及LED外延结构与LED芯片

专利号：CN202011351538.9

公布日：2022-05-03

申请人：重庆康佳光电技术研究院有限公司

一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管

专利号：CN201410601406.5

公布日：2015-07-29

申请人：北京工业大学

一种用于光电器件的多重量子阱结构

专利号：CN201510993017.6

公布日：2016-04-20

申请人：扬州德豪润达光电有限公司

一种用于光电器件的多重量子阱结构

专利号：CN201521107595.7

公布日：2016-10-19

申请人：扬州德豪润达光电有限公司

受光器、便携式电子设备和受光器的制造方法

专利号：CN201580057073.7

公布日：2019-04-05

申请人：夏普株式会社