半导体结构

专利号：CN201710660042.1

公布日：2019-02-26

申请人：旺宏电子股份有限公司

半导体结构

专利号：CN201810488000.9

公布日：2019-09-10

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置

专利号：CN202010657486.1

公布日：2021-01-19

申请人：美光科技公司

集成电路结构中的源极/漏极区

专利号：CN202011528909.6

公布日：2021-09-28

申请人：英特尔公司

槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN202111463405.5

公布日：2022-03-11

申请人：无锡先瞳半导体科技有限公司

半导体结构

专利号：CN201611126760.2

公布日：2021-06-04

申请人：旺宏电子股份有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN202110475581.4

公布日：2021-10-29

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

三维存储器及其制造方法

专利号：CN201410647980.4

公布日：2018-12-14

申请人：旺宏电子股份有限公司

高电压半导体元件

专利号：CN201010623359.6

公布日：2012-07-11

申请人：旺宏电子股份有限公司

紧凑源极镇流器MOSFET及其制备方法

专利号：CN201810312715.9

公布日：2018-11-13

申请人：万国半导体（开曼）股份有限公司

半导体结构、半导体器件及其制造方法

专利号：CN201910768199.5

公布日：2022-09-16

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

晶体管及形成集成电路系统的方法

专利号：CN202080056191.7

公布日：2022-03-18

申请人：美光科技公司

晶体管结构及其制造方法

专利号：CN200610142189.3

公布日：2008-04-02

申请人：旺宏电子股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202320187863.9

公布日：2023-08-01

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

对称高压MOS器件

专利号：CN201120319214.7

公布日：2012-04-25

申请人：上海新进半导体制造有限公司