半导体基底

专利号：CN201190000055.2

公布日：2012-10-31

申请人：中国科学院微电子研究所

半导体基底的清洗方法及半导体清洗装置

专利号：CN202111121466.3

公布日：2023-03-28

申请人：长鑫存储技术有限公司

制造半导体器件的方法

专利号：CN201710265482.7

公布日：2017-11-24

申请人：英飞凌科技股份有限公司

半导体封装、半导体封装堆叠及其制造方法

专利号：CN201910404765.4

公布日：2020-08-11

申请人：南亚科技股份有限公司

半导体基底减薄方法

专利号：CN202010040621.8

公布日：2020-05-19

申请人：长江存储科技有限责任公司

半导体基底清洗方法

专利号：CN200710094525.6

公布日：2009-06-17

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

半导体封装件及其制造方法

专利号：CN201710622059.8

公布日：2018-03-13

申请人：三星电子株式会社

基底、封装基底、半导体封装件及其制造方法

专利号：CN201110065917.6

公布日：2011-09-21

申请人：三星电子株式会社

MEMS传感器及其制备方法

专利号：CN201510439014.8

公布日：2019-08-23

申请人：上海丽恒光微电子科技有限公司

一种集成电路封装及其组装方法

专利号：CN201210020315.3

公布日：2012-11-07

申请人：美国博通公司

半导体装置和制造该半导体装置的方法

专利号：CN200610083496.9

公布日：2007-12-05

申请人：日产自动车株式会社

具有半导体通孔的半导体器件

专利号：CN201210353815.9

公布日：2013-04-03

申请人：英飞凌科技股份有限公司

晶片封装体及其形成方法

专利号：CN201310192924.1

公布日：2013-12-04

申请人：精材科技股份有限公司

插入基底和半导体封装件

专利号：CN201811376402.6

公布日：2019-07-05

申请人：三星电子株式会社

晶硅电池的制备方法

专利号：CN202211373004.5

公布日：2023-03-10

申请人：隆基绿能科技股份有限公司