半导体层叠体

专利号：CN201580072769.7

公布日：2017-08-29

申请人：住友电气工业株式会社

半导体装置

专利号：CN202210230498.5

公布日：2023-03-21

申请人：铠侠股份有限公司

发光元件以及其制造方法

专利号：CN201180062905.6

公布日：2013-09-04

申请人：株式会社东芝

半导体装置的制造方法、块状层叠体和依次层叠体

专利号：CN201280040614.1

公布日：2014-04-23

申请人：住友电木株式会社

发光元件

专利号：CN201910125595.6

公布日：2019-08-27

申请人：日亚化学工业株式会社

半导体装置

专利号：CN201910098499.7

公布日：2023-02-03

申请人：丰田自动车株式会社

半导体装置及其制造方法

专利号：CN201510547161.7

公布日：2016-09-28

申请人：株式会社东芝

发光二极管封装件

专利号：CN201620694169.6

公布日：2017-02-01

申请人：首尔半导体股份有限公司

二极管

专利号：CN201180034849.5

公布日：2013-03-27

申请人：松下电器产业株式会社

半导体器件及其制造方法

专利号：CN201711103808.2

公布日：2018-10-09

申请人：爱思开海力士有限公司

半导体装置及半导体装置的制造方法

专利号：CN202210939936.5

公布日：2023-08-25

申请人：铠侠股份有限公司

发光器件和制造发光器件的方法

专利号：CN202080086479.9

公布日：2022-07-29

申请人：索尼半导体解决方案公司

半导体发光装置

专利号：CN201310464248.9

公布日：2014-04-16

申请人：三垦电气株式会社

发电装置及具备该发电装置的发电系统

专利号：CN201080036838.6

公布日：2012-05-30

申请人：富士通株式会社

紫外线发光二极管及具有其的紫外线发光元件

专利号：CN201620365810.1

公布日：2016-10-12

申请人：首尔伟傲世有限公司