形成键合半导体结构的方法和用该方法形成的半导体结构

专利号：CN201210090879.4

公布日：2012-10-17

申请人：SOITEC公司

一种半导体结构及其制造方法

专利号：CN200710089829.3

公布日：2007-12-12

申请人：国际商业机器公司

半导体图案及其制备方法

专利号：CN201711099018.1

公布日：2021-01-26

申请人：南亚科技股份有限公司

半导体发光器件及其制造方法

专利号：CN03164978.5

公布日：2004-05-19

申请人：夏普株式会社

半导体元件及其制作方法

专利号：CN201510195898.7

公布日：2016-02-10

申请人：新唐科技股份有限公司

半导体元件结构及其形成方法

专利号：CN202011195344.4

公布日：2021-05-04

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种半导体芯片结构

专利号：CN201710894889.6

公布日：2019-12-24

申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

激光元件

专利号：CN202111359200.2

公布日：2022-05-17

申请人：晶智达光电股份有限公司

存储器及其制造方法

专利号：CN202111651753.5

公布日：2022-04-26

申请人：长江存储科技有限责任公司

半导体结构及其制造方法

专利号：CN201911157760.2

公布日：2021-02-26

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

发光装置与其制作方法

专利号：CN201710046399.0

公布日：2019-06-25

申请人：友达光电股份有限公司

改善半导体结构的翘曲的方法

专利号：CN201810580565.X

公布日：2018-11-06

申请人：长江存储科技有限责任公司

半导体结构和用于形成半导体结构的方法

专利号：CN202211460440.6

公布日：2023-06-20

申请人：英特尔公司

测试半导体结构金属污染的方法

专利号：CN202111579327.5

公布日：2023-06-27

申请人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

半导体装置结构

专利号：CN201710480724.4

公布日：2018-06-05

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司