材料组分的确定方法、装置、终端及可读存储介质

专利号：CN202110654077.0

公布日：2021-10-29

申请人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院

含立方晶氮化硼颗粒的单晶态金刚石颗粒、及其制造方法

专利号：CN201780001990.2

公布日：2019-03-08

申请人：大岛龙司;崔祥仁

一种单晶镍基高温合金及其元素组分设计方法

专利号：CN202211577803.4

公布日：2023-06-27

申请人：北京航空航天大学

单晶化抗蒸发的X射线球管阳极靶的制造工艺

专利号：CN202011443854.9

公布日：2022-09-23

申请人：佛山宁宇科技股份有限公司

半导体元件、半导体基底及其形成方法

专利号：CN201710201928.X

公布日：2020-09-11

申请人：新唐科技股份有限公司

非晶态中间层及镍基单晶合金梯度TLP工艺

专利号：CN201910569140.3

公布日：2019-09-20

申请人：西安理工大学

双晶态线性变价三核钴簇合物及其制备方法

专利号：CN201610139116.2

公布日：2018-04-10

申请人：广西师范大学

硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法

专利号：CN201410035355.4

公布日：2014-04-30

申请人：中国科学院半导体研究所

一种多层非晶态Ga2

专利号：CN202310149328.9

公布日：2023-06-23

申请人：重庆大学

金属薄膜形成方法

专利号：CN91104047.1

公布日：2000-08-30

申请人：坪内和夫

一种用于非球面玻璃透镜模具的膜层结构

专利号：CN202220397093.6

公布日：2022-05-27

申请人：苏州普锐仕精密光学科技有限公司

单晶转变控制

专利号：CN99124353.6

公布日：2000-06-07

申请人：通用电气公司

大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法

专利号：CN200510004573.2

公布日：2006-07-26

申请人：中国科学院半导体研究所

一种制作结晶态高K栅介质材料的方法

专利号：CN201110383802.1

公布日：2012-05-02

申请人：中国科学院微电子研究所

2-氯甲基-3,5-二甲基-4-甲氧基吡啶盐酸盐的晶化处理方法

专利号：CN201410069812.1

公布日：2014-07-09

申请人：安徽国星生物化学有限公司