双磁性势垒隧道结以及包括其的自旋电子学器件

专利号：CN201510846946.4

公布日：2018-07-17

申请人：中国科学院物理研究所

一种双异质结太赫兹探测器及其制作方法

专利号：CN202211086074.2

公布日：2022-12-02

申请人：深圳网联光仪科技有限公司

高峰谷电流比的共振隧穿二极管晶圆结构及其制备方法

专利号：CN201810316297.0

公布日：2018-09-18

申请人：雄安华讯方舟科技有限公司;深圳市太赫兹科技创新研究院

一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途

专利号：CN200610080970.2

公布日：2007-11-28

申请人：中国科学院物理研究所

具有双势垒层的磁性隧道结结构及磁性随机存储器

专利号：CN201910972497.6

公布日：2023-04-18

申请人：上海磁宇信息科技有限公司

具有双隧道势垒的磁器件及其制造方法

专利号：CN201280057583.0

公布日：2014-07-23

申请人：艾沃思宾技术公司

反向导通绝缘栅双极性晶体管

专利号：CN201510918997.3

公布日：2018-10-30

申请人：丰田自动车株式会社

一种基于双势垒结构的磁存储器件

专利号：CN201510507427.5

公布日：2015-12-16

申请人：北京航空航天大学

一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件

专利号：CN202220591131.1

公布日：2022-08-16

申请人：成都智达和创信息科技有限公司

磁性隧道结

专利号：CN201210229507.5

公布日：2014-01-22

申请人：中国科学院物理研究所

基于共振隧穿效应的近红外探测器

专利号：CN201510308843.2

公布日：2015-11-11

申请人：中国科学院半导体研究所;中国人民解放军军械工程学院

一种基于双材料栅介质的双栅隧穿场效应晶体管

专利号：CN202211222956.7

公布日：2022-12-27

申请人：西安邮电大学

双势垒肖特基二极管的制备方法

专利号：CN202110707635.5

公布日：2021-09-24

申请人：中国科学技术大学

MTJ单元及STT-MRAM

专利号：CN201710115591.0

公布日：2021-07-13

申请人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司

包含具有含超晶格电子平均自由程控制层的共振隧穿二极管结构的半导体器件及相关方法

专利号：CN201780059913.2

公布日：2022-04-05

申请人：阿托梅拉公司