半导体运算放大装置和半导体感测装置

专利号：CN202011142199.3

公布日：2021-02-09

申请人：杭州晶华微电子有限公司

保护装置以及相关制作方法

专利号：CN201310553012.2

公布日：2018-02-06

申请人：飞思卡尔半导体公司

双极结型半导体器件及其制造方法

专利号：CN201510976838.9

公布日：2018-06-22

申请人：成都芯源系统有限公司

一种高灵敏度温度检测集成电路

专利号：CN201811225544.2

公布日：2019-01-25

申请人：天津大学

一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器

专利号：CN200910243741.1

公布日：2011-06-29

申请人：中国科学院微电子研究所

对绝缘栅双极型晶体管模块的结温进行在线估算的方法及模块

专利号：CN201811348746.6

公布日：2021-07-09

申请人：上海蔚来汽车有限公司

静电放电保护电路

专利号：CN200910006781.4

公布日：2010-09-01

申请人：奕力科技股份有限公司

晶体管反熔丝器件

专利号：CN200610005460.9

公布日：2006-09-06

申请人：惠普开发有限公司

静电放电保护

专利号：CN201710135318.4

公布日：2023-01-20

申请人：恩智浦有限公司

具有连接内部和外部基极的链路区域的双极结型晶体管

专利号：CN201280033354.5

公布日：2014-03-19

申请人：国际商业机器公司

一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法

专利号：CN202011493926.0

公布日：2021-04-09

申请人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

横向双极结型晶体管及其制造方法

专利号：CN201010000405.7

公布日：2010-08-25

申请人：联发科技股份有限公司

具有双锥形发射极指的双极结型晶体管

专利号：CN201610451808.0

公布日：2019-10-15

申请人：格罗方德半导体公司

一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法

专利号：CN201510394761.4

公布日：2015-10-21

申请人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

专利号：CN202210311792.9

公布日：2022-08-05

申请人：深圳市汇芯通信技术有限公司