一种阀控系统对晶闸管反向恢复期保护的控制方法

专利号：CN201310238780.9

公布日：2014-01-01

申请人：许继电气股份有限公司

反向恢复测量结果和曲线图

专利号：CN202211355216.0

公布日：2023-05-05

申请人：特克特朗尼克公司

一种基于反向恢复时间筛选二极管的装置

专利号：CN201610149876.1

公布日：2017-07-18

申请人：温州大学

一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET

专利号：CN202111123112.2

公布日：2021-12-28

申请人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

一种新型晶闸管反向恢复暂态模型

专利号：CN201110054365.9

公布日：2011-07-27

申请人：中国电力科学研究院

二极管反向恢复时间测试方法

专利号：CN201410474386.X

公布日：2015-01-07

申请人：哈尔滨理大晟源科技开发有限公司

超结MOSFET

专利号：CN202121129551.X

公布日：2021-11-23

申请人：深圳市威兆半导体有限公司

一种换流阀反向恢复期保护特性测试方法及对应的系统

专利号：CN201510478771.6

公布日：2015-11-04

申请人：许继电气股份有限公司;国家电网公司

一种超级结MOSFET及其制备方法

专利号：CN202211151602.8

公布日：2022-11-25

申请人：南方科技大学

半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置

专利号：CN201010254534.9

公布日：2011-04-27

申请人：株式会社日立制作所

一种高压大功率晶闸管反向恢复电流测试系统及测试方法

专利号：CN201910278973.4

公布日：2019-06-18

申请人：西安交通大学

一种高压大功率晶闸管反向恢复电流测试系统及测试方法

专利号：CN201911169823.6

公布日：2022-03-11

申请人：国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司;西安交通大学;国网江苏省电力有限公司

一种SiC功率器件

专利号：CN201911105062.8

公布日：2021-07-06

申请人：电子科技大学

一种快速测试硅片反向恢复时间的装置

专利号：CN201820800143.4

公布日：2019-01-22

申请人：扬州国宇电子有限公司

低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法

专利号：CN201310697435.1

公布日：2014-04-23

申请人：常州星海电子有限公司