一种磁电存储器存储单元结构

专利号：CN201720957842.5

公布日：2018-05-22

申请人：江西科技学院

基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件

专利号：CN202111186841.2

公布日：2023-04-14

申请人：中国科学院物理研究所;国网上海市电力公司;全球能源互联网研究院有限公司

一种利用反铁磁材料产生可控自旋流的方法、异质结构器件和自旋电子学器件

专利号：CN202211402840.1

公布日：2023-02-24

申请人：清华大学

反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法、表征器件及其制备方法

专利号：CN201710827591.3

公布日：2019-03-22

申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

专利号：CN201010177285.8

公布日：2010-09-15

申请人：西南科技大学

磁存储器及其制造方法

专利号：CN202211499465.7

公布日：2023-03-31

申请人：致真存储（北京）科技有限公司

人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器

专利号：CN202110381200.6

公布日：2022-10-18

申请人：中国科学院物理研究所

磁性薄膜和磁阻效应元件

专利号：CN200710159762.6

公布日：2008-08-27

申请人：富士通株式会社;国立大学法人东北大学

具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法

专利号：CN200610056824.6

公布日：2006-10-11

申请人：中国科学院物理研究所

一种抑制电磁噪声的薄膜材料

专利号：CN200910060817.7

公布日：2009-07-22

申请人：华中科技大学

反铁磁/铁磁交换耦合结构垂直磁偏置异常磁电阻传感器

专利号：CN200510081415.7

公布日：2006-01-25

申请人：日立环球储存科技荷兰有限公司

一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

专利号：CN02157977.6

公布日：2004-07-07

申请人：中国科学院物理研究所

巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结

专利号：CN201711415711.5

公布日：2020-03-20

申请人：中国科学院物理研究所

巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结

专利号：CN202010108087.X

公布日：2022-02-22

申请人：中国科学院物理研究所

基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器

专利号：CN201920711978.7

公布日：2020-01-10

申请人：中国科学院上海技术物理研究所