器件层互连

专利号：CN201910374596.4

公布日：2019-12-17

申请人：英特尔公司

异质层器件

专利号：CN201380080983.8

公布日：2020-02-21

申请人：英特尔公司

陶瓷叠层器件

专利号：CN200410045872.6

公布日：2004-11-03

申请人：松下电器产业株式会社

陶瓷叠层器件

专利号：CN01129567.8

公布日：2002-02-20

申请人：松下电器产业株式会社

陶瓷叠层器件

专利号：CN200410045873.0

公布日：2004-12-01

申请人：松下电器产业株式会社

氮化镓与硅器件和电路的单片集成、结构和方法

专利号：CN201110037228.4

公布日：2011-09-21

申请人：英特赛尔美国股份有限公司

OLED器件、AMOLED器件及其制造方法

专利号：CN201210048814.3

公布日：2012-08-29

申请人：京东方科技集团股份有限公司

光开关芯片

专利号：CN201710335111.1

公布日：2020-01-03

申请人：华为技术有限公司

全彩AMOLED显示器件及其生产方法

专利号：CN201911132439.9

公布日：2020-02-21

申请人：武汉美讯半导体有限公司

III族氮化物双向器件

专利号：CN201610935458.5

公布日：2020-12-11

申请人：英飞凌科技奥地利有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN202310174180.4

公布日：2023-06-23

申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司

一种三维集成电路

专利号：CN202310882744.X

公布日：2023-10-24

申请人：苏州华太电子技术股份有限公司

光器件层的移设方法

专利号：CN202010315789.5

公布日：2020-10-27

申请人：株式会社迪思科

感光成像装置、半导体器件的制作方法

专利号：CN201210071907.8

公布日：2012-07-11

申请人：上海丽恒光微电子科技有限公司

器件层减薄的方法及衬底的制备方法

专利号：CN201910805846.5

公布日：2019-11-29

申请人：上海新傲科技股份有限公司