一种刻蚀掩模及采用该刻蚀掩模制作LED的方法

专利号：CN201710054554.3

公布日：2019-01-29

申请人：安徽三安光电有限公司

自洁净结构及其制造方法

专利号：CN201310169877.9

公布日：2013-09-18

申请人：西安建筑科技大学

自洁净结构

专利号：CN201320249030.7

公布日：2013-10-23

申请人：西安建筑科技大学

LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法

专利号：CN201810088072.4

公布日：2019-08-06

申请人：中国科学院半导体研究所

一种基于新型图形化衬底的LED芯片及其制造方法

专利号：CN202211415780.7

公布日：2023-03-07

申请人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司

一种图形化电极、制备方法和有机太阳能电池

专利号：CN201210310835.8

公布日：2012-12-19

申请人：浙江大学

一种金属图形化的剥离结构

专利号：CN201921366070.3

公布日：2020-05-19

申请人：无锡英菲感知技术有限公司

半导体器件的制造方法

专利号：CN202010986432.X

公布日：2020-12-11

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

一种金属图形化的剥离结构及其制作方法

专利号：CN201910773933.7

公布日：2019-10-25

申请人：无锡英菲感知技术有限公司

一种纳米图形化复合衬底及高光量子效率LED芯片

专利号：CN202221031777.0

公布日：2022-08-23

申请人：苏州瑞而美光电科技有限公司

一种HEMT器件及其制备方法

专利号：CN202110655788.X

公布日：2022-12-13

申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

一种图形化车用荧光片以及汽车大灯结构

专利号：CN201922305719.7

公布日：2020-06-05

申请人：宁波升谱光电股份有限公司

体硅湿法深刻蚀的保护方法

专利号：CN201510032873.5

公布日：2017-06-23

申请人：清华大学

一种双振膜硅麦克风及其制造方法

专利号：CN202210704348.3

公布日：2022-10-18

申请人：无锡韦感半导体有限公司

闪存器件的形成方法

专利号：CN202010116390.4

公布日：2022-02-15

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司