基于埋入式隔道布局的平面埋入式进气道及设计方法

专利号：CN201410315774.3

公布日：2014-10-22

申请人：南京航空航天大学

动态随机存取存储器及其制造方法

专利号：CN201910266063.4

公布日：2023-03-17

申请人：华邦电子股份有限公司

埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法

专利号：CN201310530701.1

公布日：2014-01-29

申请人：中国科学院深圳先进技术研究院

具有定位功能的埋入式传感器外壳

专利号：CN201721344326.1

公布日：2018-05-22

申请人：成都上甲光电科技有限公司

晶体管结构

专利号：CN201810123483.2

公布日：2022-05-24

申请人：联华电子股份有限公司

一种埋入式底座快速焊接工装操作方法

专利号：CN201210332473.2

公布日：2012-12-19

申请人：昆山吉海实业公司

改进的埋入式隔离层

专利号：CN200880025008.6

公布日：2010-06-23

申请人：英特赛尔美国股份有限公司

SOI晶片的制造方法

专利号：CN200980149263.6

公布日：2011-11-16

申请人：信越半导体股份有限公司

一种埋入式进气道及飞行器

专利号：CN202011316781.7

公布日：2021-02-05

申请人：江西洪都航空工业集团有限责任公司

半导体器件和制造该半导体器件的方法

专利号：CN201310147602.5

公布日：2018-08-07

申请人：爱思开海力士有限公司

埋入式元件电路板的制作方法及电路板

专利号：CN202111013502.4

公布日：2023-03-03

申请人：深南电路股份有限公司

一种半导体结构及其制作方法

专利号：CN202310252597.8

公布日：2023-09-08

申请人：长鑫存储技术有限公司

影像传感器及其制造方法

专利号：CN201811066356.X

公布日：2022-09-02

申请人：力晶积成电子制造股份有限公司

罩幕式只读存储器及其制造方法

专利号：CN02119729.6

公布日：2003-12-03

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体存储器结构及其制备方法

专利号：CN201810119214.9

公布日：2019-06-18

申请人：南亚科技股份有限公司