具有在衬底的两面处的外围电路区域的半导体器件及包括该半导体器件的数据存储系统

专利号：CN202110957498.0

公布日：2022-05-13

申请人：三星电子株式会社

半导体装置和制造该半导体装置的方法

专利号：CN202211130243.8

公布日：2023-05-16

申请人：三星电子株式会社

三维半导体存储器装置

专利号：CN202110671521.X

公布日：2021-12-17

申请人：三星电子株式会社

集成电路器件

专利号：CN202010684302.0

公布日：2021-03-05

申请人：三星电子株式会社

3D NAND存储器及其形成方法

专利号：CN201810213627.3

公布日：2021-07-20

申请人：长江存储科技有限责任公司

半导体存储器件

专利号：CN200610005014.8

公布日：2006-08-30

申请人：三星电子株式会社

非易失性存储器芯片和包括其的半导体封装

专利号：CN202111346238.6

公布日：2022-05-27

申请人：三星电子株式会社

NORD flash制造方法、器件和存储介质

专利号：CN202011504341.4

公布日：2022-09-30

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

半导体器件及制造其的方法

专利号：CN201711293693.8

公布日：2018-06-19

申请人：三星电子株式会社

半导体存储器件及其制造方法

专利号：CN201710727478.8

公布日：2022-02-08

申请人：三星电子株式会社

半导体芯片以及包括该半导体芯片的半导体封装

专利号：CN201910025915.0

公布日：2023-08-15

申请人：三星电子株式会社

非易失性存储器件

专利号：CN201911147656.5

公布日：2020-06-12

申请人：三星电子株式会社

三维半导体存储器件

专利号：CN201811018562.3

公布日：2019-03-05

申请人：三星电子株式会社

控制栅氧化层厚度的方法及半导体器件的制作方法

专利号：CN200710037673.4

公布日：2008-08-20

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

电子器件

专利号：CN202110757823.9

公布日：2022-07-01

申请人：爱思开海力士有限公司