多孔硅基气体传感器及其应用于气体检测的方法

专利号：CN201611141046.0

公布日：2018-10-02

申请人：上海新微技术研发中心有限公司

绝缘体上的硅(SOI)衬底的制造工艺

专利号：CN96121530.5

公布日：2001-12-26

申请人：佳能株式会社

一种锂离子电池纳米多孔硅负极材料的制备方法

专利号：CN201910638199.3

公布日：2021-08-24

申请人：昆明理工大学

用于制备多孔硅微粒的电化学和化学蚀刻的组合方法

专利号：CN201480004088.2

公布日：2016-01-20

申请人：威廉马歇莱思大学;洛克西德马丁有限公司

自支撑多孔硅薄膜的制备方法

专利号：CN202111453773.1

公布日：2022-04-15

申请人：新疆大学

一种多孔硅纳米线复合结构及其制备方法

专利号：CN201711252700.X

公布日：2018-05-11

申请人：西安交通大学

一种自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备方法

专利号：CN202011204947.6

公布日：2021-02-05

申请人：马鞍山安慧智电子科技有限公司

一种氧化锌-多孔硅复合材料及其制备方法和应用

专利号：CN201910444451.7

公布日：2021-04-20

申请人：江苏大学

电致发光多孔硅材料及其制备方法

专利号：CN200510016317.5

公布日：2006-07-19

申请人：天津大学

多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子、以及它们的制造方法

专利号：CN201180044169.1

公布日：2013-05-22

申请人：古河电气工业株式会社

一种硅碳复合材料及其制备方法、锂离子电池

专利号：CN201310244277.4

公布日：2013-10-09

申请人：奇瑞汽车股份有限公司

半导体衬底及其制造方法

专利号：CN96121054.0

公布日：2003-12-24

申请人：佳能株式会社

提高纳米多孔硅物理微结构和光学特性稳定性的新方法

专利号：CN201610889553.6

公布日：2018-07-10

申请人：湖南文理学院

一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器

专利号：CN201610527961.7

公布日：2016-12-14

申请人：燕山大学

一种能稳定多孔硅膜物理微结构的方法

专利号：CN201510208176.0

公布日：2017-12-19

申请人：湖南文理学院