一种高频宽禁带半导体驱动电路

专利号：CN202011448904.2

公布日：2021-03-26

申请人：国创新能源汽车智慧能源装备创新中心（江苏）有限公司

一种高频宽禁带半导体驱动电路

专利号：CN202022962171.6

公布日：2021-12-24

申请人：国创移动能源创新中心（江苏）有限公司;万帮数字能源股份有限公司;万帮星星充电科技有限公司

宽禁带半导体器件及其制备方法

专利号：CN201410379970.7

公布日：2020-05-26

申请人：台州市一能科技有限公司

一种宽禁带半导体器件及其制备方法、探测器和调制器

专利号：CN202011553364.4

公布日：2021-04-20

申请人：南方科技大学

宽禁带半导体器件

专利号：CN201420436988.1

公布日：2014-12-31

申请人：台州市一能科技有限公司;星野政宏

光解水制氢的催化电极及其制备方法

专利号：CN201410177232.4

公布日：2014-08-13

申请人：天津大学

宽禁带半导体纳米管/线阵列膜及其制备方法、一种光电极

专利号：CN200810000929.9

公布日：2009-03-25

申请人：北京大学

一种无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池

专利号：CN201710849974.0

公布日：2018-03-09

申请人：壹号元素（广州）科技有限公司

具有浮岛结构的宽禁带半导体VDMOSFET器件及其制造方法

专利号：CN201810229412.0

公布日：2018-08-07

申请人：重庆大学

具有部分宽禁带材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法

专利号：CN201910754050.1

公布日：2021-01-29

申请人：西安电子科技大学

一种功率半导体器件

专利号：CN202222654929.9

公布日：2023-01-17

申请人：深圳市禾望电气股份有限公司

一种用宽禁带半导体改善氮化镓N面欧姆接触的方法

专利号：CN202210943620.3

公布日：2022-11-29

申请人：深圳大学

一种提高宽禁带半导体载流子浓度的方法

专利号：CN202211204973.8

公布日：2023-03-21

申请人：北京大学

发光二极管的外延发光结构

专利号：CN201910318051.1

公布日：2022-01-25

申请人：开发晶照明（厦门）有限公司

一种新型的异质结太阳能电池

专利号：CN201310310101.4

公布日：2013-10-09

申请人：常州天合光能有限公司