场效应晶体管电路、装置、芯片及电池管理系统

专利号：CN202120350700.9

公布日：2021-09-28

申请人：珠海迈巨微电子有限责任公司

集成器件及电池/电池组管理芯片

专利号：CN202120458752.8

公布日：2021-09-28

申请人：珠海迈巨微电子有限责任公司

场效应晶体管电路、方法、装置、芯片及电池管理系统

专利号：CN202010823718.6

公布日：2021-01-29

申请人：珠海迈巨微电子有限责任公司

场效应晶体管电路、方法、装置、芯片及电池管理系统

专利号：CN202110170499.0

公布日：2021-05-04

申请人：珠海迈巨微电子有限责任公司

电力转换装置

专利号：CN201410460826.6

公布日：2017-08-08

申请人：株式会社东芝

一种双二极管ESD保护电路

专利号：CN201910500481.5

公布日：2021-04-27

申请人：西安电子科技大学

具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构

专利号：CN201410104489.7

公布日：2014-05-28

申请人：绍兴光大芯业微电子有限公司

一种基于开关电源电路的二极管寄生参数的提取方法

专利号：CN201610796710.9

公布日：2017-02-01

申请人：北京航空航天大学

滤波器

专利号：CN201780029569.2

公布日：2022-06-07

申请人：株式会社村田制作所

PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件

专利号：CN200910127931.7

公布日：2010-09-29

申请人：立锜科技股份有限公司

肖特基二极管等效电路模型及其参数提取方法

专利号：CN200710094241.7

公布日：2009-05-27

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

一种ESD保护电路及电子装置

专利号：CN201810756628.2

公布日：2018-09-28

申请人：上海艾为电子技术股份有限公司

一种ESD保护电路及电子装置

专利号：CN201821097942.6

公布日：2019-01-08

申请人：上海艾为电子技术股份有限公司

电压保护电路

专利号：CN202110817625.7

公布日：2023-08-18

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

一种ESD保护电路、检波电路及相关电子装置

专利号：CN202210138797.6

公布日：2023-07-28

申请人：深圳市汇顶科技股份有限公司