复杂结构对象转换成平面化数据的方法、设备和存储介质

专利号：CN201510642171.9

公布日：2020-07-03

申请人：伊姆西IP控股有限责任公司

半导体器件的金属化

专利号：CN98105194.4

公布日：2004-06-16

申请人：西门子公司

柔性有机发光二极管显示器及其制作方法

专利号：CN201810816005.X

公布日：2018-12-21

申请人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司

三层抗蚀剂有机层蚀刻

专利号：CN200710142651.4

公布日：2008-02-27

申请人：兰姆研究有限公司

用于高级微电子应用的平面化薄膜及其生产装置和方法

专利号：CN200380110394.6

公布日：2006-07-12

申请人：霍尼韦尔国际公司

形成电极或像素电极的方法和一种液晶显示设备

专利号：CN01804122.1

公布日：2003-02-12

申请人：皇家菲利浦电子有限公司

适用于使用在光电装置中的层系统以及用于以连续卷绕式工艺制造层系统的方法

专利号：CN201780082571.6

公布日：2019-08-23

申请人：应用材料公司

平面化腐蚀半导体器件的方法

专利号：CN98103051.3

公布日：2003-12-17

申请人：三星电子株式会社

半导体器件及其制造方法

专利号：CN01124865.3

公布日：2002-01-23

申请人：株式会社半导体能源研究所

投射阴影的自动陷印

专利号：CN200780043908.9

公布日：2009-09-23

申请人：奥多比公司

边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法

专利号：CN201510509173.0

公布日：2018-11-20

申请人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

一种基于贪心的城市交通图平面化方法

专利号：CN201911307915.6

公布日：2020-04-10

申请人：南京富士通南大软件技术有限公司

像素阵列基底结构、其制造方法、显示设备和电子装置

专利号：CN201110428133.5

公布日：2012-07-11

申请人：索尼公司

缺陷平面化

专利号：CN201680017309.9

公布日：2021-09-14

申请人：应用材料公司

发光显示设备

专利号：CN201510779389.9

公布日：2021-02-05

申请人：三星显示有限公司