金属硅化物阻挡层和应力记忆层共用制程

专利号：CN201110250263.4

公布日：2012-05-02

申请人：上海华力微电子有限公司

采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法

专利号：CN202011462789.4

公布日：2021-04-09

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法

专利号：CN201210195636.7

公布日：2014-01-01

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

应力记忆细丝及其制备方法、智能织物和应用

专利号：CN201711095848.7

公布日：2022-07-26

申请人：理大产学研基地（深圳）有限公司

制备声发射样品、确定压裂泵的方法、装置及存储介质

专利号：CN202010778663.1

公布日：2023-09-26

申请人：中国石油天然气股份有限公司

应力记忆技术中形成应力层的方法

专利号：CN201210122398.7

公布日：2013-10-30

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种应力记忆高分子材料及智能压力装置

专利号：CN201510037396.1

公布日：2019-10-01

申请人：理大产学研基地（深圳）有限公司

一种铁磁性材料的金属磁记忆监测与评价方法

专利号：CN202210857049.3

公布日：2023-04-28

申请人：江西理工大学

一种应力记忆技术方法

专利号：CN201210190197.0

公布日：2014-01-01

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

应力记忆技术的优化刻蚀方法

专利号：CN200910200984.7

公布日：2011-06-29

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

增强应力记忆技术效果的方法

专利号：CN201110232262.7

公布日：2012-05-02

申请人：上海华力微电子有限公司

自张式形状记忆合金筋预应力混凝土结构

专利号：CN201520197469.9

公布日：2015-10-14

申请人：徐州工程学院

用金属磁记忆检测技术确定管道焊接裂纹应力集中的方法

专利号：CN200510122190.5

公布日：2006-06-28

申请人：天津大学

一种提高半导体器件应力记忆技术效果的方法

专利号：CN201110123710.X

公布日：2012-04-11

申请人：上海华力微电子有限公司

双应力记忆技术方法和相关半导体器件

专利号：CN200610146392.8

公布日：2007-05-30

申请人：国际商业机器公司;三星电子株式会社;特许半导体制造有限公司