一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件及制造方法

专利号：CN202211415212.7

公布日：2023-03-07

申请人：天狼芯半导体（成都）有限公司

电容结构、存储单元及制备方法

专利号：CN202110547019.8

公布日：2022-11-22

申请人：长鑫存储技术有限公司

一种槽栅多沟道结构GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法

专利号：CN202110731752.5

公布日：2021-11-12

申请人：西安电子科技大学

异质结结构的制作方法及电极结构和电子器件

专利号：CN201910890185.0

公布日：2021-03-23

申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

晶格失配的异质结结构和由其制备的器件

专利号：CN201480013471.4

公布日：2018-09-11

申请人：威斯康星州男校友研究基金会

二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件

专利号：CN202011298767.9

公布日：2022-05-31

申请人：长春理工大学

多沟道槽栅MIS结构的高电子迁移率晶体管及制作方法

专利号：CN202110731751.0

公布日：2021-11-12

申请人：西安电子科技大学

基于体异质结结构吸光层的高效铜铟镓硒薄膜光电池

专利号：CN201510039608.X

公布日：2015-05-06

申请人：苏州瑞晟纳米科技有限公司

基于全层异质结的低压高性能有机发光晶体管

专利号：CN202210031484.0

公布日：2023-07-25

申请人：中国科学院化学研究所

一种异质结结构rGO/g-CN气凝胶及其制备方法和应用

专利号：CN202211006812.8

公布日：2022-11-18

申请人：桂林电子科技大学

一种异质结结构及其制备方法和应用

专利号：CN202110155032.9

公布日：2022-08-05

申请人：中国科学院物理研究所

半导体结构

专利号：CN202020438296.6

公布日：2020-12-04

申请人：苏州晶湛半导体有限公司

一种异质结结构的二维纳米材料的制备方法

专利号：CN201811159483.4

公布日：2019-02-12

申请人：华南理工大学

鳍式场效应晶体管

专利号：CN202211001176.X

公布日：2022-11-29

申请人：苏州晶湛半导体有限公司

鳍式场效应晶体管

专利号：CN202211003355.7

公布日：2022-11-29

申请人：苏州晶湛半导体有限公司