一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器

专利号：CN201910569151.1

公布日：2022-05-13

申请人：西安电子科技大学

抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管及制备方法

专利号：CN201410167991.2

公布日：2014-08-13

申请人：北京大学

一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法

专利号：CN202111243885.4

公布日：2022-03-08

申请人：南昌凯迅光电股份有限公司

一种异质结电池及其制备方法

专利号：CN202210307002.X

公布日：2022-06-03

申请人：安徽华晟新能源科技有限公司

一种跨骑型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN201410438469.3

公布日：2017-03-22

申请人：北京大学

一种隧穿场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN202210805561.3

公布日：2022-09-20

申请人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院

一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池中隧穿结的结构设计

专利号：CN201710594187.6

公布日：2018-01-09

申请人：南开大学

一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN201410438228.9

公布日：2017-02-15

申请人：北京大学

一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN201410485848.8

公布日：2017-01-25

申请人：北京大学

用于氮化物基发光器件中的空穴注入的异质隧穿结

专利号：CN201980023549.3

公布日：2021-02-02

申请人：威斯康星州男校友研究基金会

一种隧穿晶体管及其制备方法

专利号：CN201680085756.8

公布日：2022-06-14

申请人：华为技术有限公司

一种宽带隙多异质结隧穿结结构

专利号：CN201210207237.8

公布日：2012-10-03

申请人：厦门乾照光电股份有限公司

一种低功耗半浮栅存储器及其制备方法

专利号：CN202010172361.X

公布日：2020-07-17

申请人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司

一种异质结双极型晶体管及其制作方法

专利号：CN202211667878.1

公布日：2023-04-28

申请人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司

可擦写存储器及其制造方法

专利号：CN202111525709.X

公布日：2022-03-22

申请人：上海集成电路制造创新中心有限公司